삼성, 세계 최초 30나노급 D램 개발

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입력 2010-02-01 17:57  

삼성, 세계 최초 30나노급 D램 개발

<앵커> 삼성전자가 이번엔 30나노급 D램을 개발했습니다. 40나노급 D램을 개발한 지 1년 만인데요, 생산성 면에서나 전력 소비면에서 삼성전자가 모두 우위에 있다는 게 확인됐습니다. 자세한 내용, 유주안 기자가 보도합니다.

<기자> 삼성전자가 이번에 개발을 완료한 DDR3 D램 제품입니다.

반도체칩에는 눈으로 확인하기 어려울 만큼 얇은 회로들이 새겨져 있는데, 이 제품의 경우 회로선의 폭이 30나노, 즉 머리카락 굵기의 4천분의 1밖에 되지 않습니다.

이 회로선이 좁을 수록 칩의 크기가 작아지고 웨이퍼 한 개당 생산할 수 있는 칩의 개수도 늘어납니다.

[인터뷰] 김창현 삼성전자 전무
"30나노급 칩은 40나노급 대비해서 생산성 면에서 웨이퍼 하나당 60% 더 많은 칩을 만들 수 있다. 50나노급 대비하면 2.5배의 효율성이 있다."

60나노급 제품이 대부분인 엘피다와 마이크론에 비교할 때 생산효율성이 최대 4배까지 높아질 수 있다는 얘깁니다.

업계에서는 이같은 기술력이 시간적으로는 경쟁사들과 1년 이상의 격차를 벌렸다고 평가하기도 합니다.

전력소비 면에서도 40나노급보다 15% 가량 전력을 절감할 수 있어 소비자들의 반응도 기대됩니다.

삼성전자는 올해 하반기면 이 제품의 양산에 들어갈 계획입니다.

이미 지난해 40나노급 제품 양산을 시작한 상황에서 30나노급에서도 앞서갈 경우 세계시장에서의 점유율은 더 강화될 수 있습니다.

또 이번 개발에 안주하지 않고 20나노급 공정 개발도 진행중입니다.

하이닉스 역시 올 연말 양산을 목표로 30나노급 공정 개발을 서두르고 있어 세계 반도체 시장에서 한국의 위상은 더 높아질 전망입니다.

WOW-TV NEWS 유주안입니다.
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