삼성전자 반도체 기술, 하이닉스로 줄줄이 유출

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입력 2010-02-03 12:10  

삼성전자 반도체 기술, 하이닉스로 줄줄이 유출

삼성전자의 핵심 반도체 기술이 지난 6년간 협력업체를 통해 하이닉스반도체로 유출된 것으로 드러났습니다.

서울동부지검은 3일 삼성전자의 반도체 제작 기술과 영업비밀 등을 빼내 하이닉스로에 넘긴 혐의로 하이닉스반도체 전무 한 모 씨와 모 외국계 장비업체 부사장 등 3명을 구속기소하고 15명을 불구속 기소했습니다. 또 삼성전자 수석연구원으로 일하며 기술을 유출한 남 모 씨는 지명수배했습니다.

삼성전자와 하이닉스에 모두 장비를 납품하는 외국계 장비업체 임원은 지난 2005년부터 최근까지 D램과 낸드플래시 제작공장 등을 담은 삼성전자의 영업비밀 95건을 빼돌렸으며 이중 13건을 하이닉스에 넘긴 혐의를 받고 있습니다.

이들은 제작장비의 설치와 관리를 위해 삼성전자 반도체 공장을 드나들면서 비밀문서를 빼오거나 친분이 있는 직원에게 구두로 정보를 캐내는 방법으로 기밀을 빼돌렸습니다. 이 과정에서 당시 삼성전자의 과장이었던 남 모 씨는 미국 실리콘밸리 호텔에서 극비로 분류된 D램과 낸드플래시 및 차세대 반도체 개발 계획 등을 파일을 넘겨주기도 한 것으로 드러났습니다.

검찰은 이번 기술유출로 삼성전자가 입은 직접적인 피해는 수천억원이 될 것으로 추정하지만 후발 주자와의 기술격차가 줄면서 발생한 간접적인 피해 규모는 수조원에 이를 것으로 보인다고 밝혔습니다.
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