큐에스아이가 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법과 관련한 특허권을 취득했다고 공시했다.
회사 측은 특허 내용에 대해 "전류 제한층이 한층일때 발생하는 누설전류에 의한 소자 광효율 저하 문제를 해결한다"고 밝혔다.
또 "서로다른 굴절율을 가지는 두개의 전류 제한층 조합을 구성하여 전류 제한층의 반사율이 증가하며, 누설전류 감소 및 동작전류 감소효과가 있어 레이저다이오드 소자의 광효율을 향상시키는 기술"이라고 설명했다.
회사 측은 특허 내용에 대해 "전류 제한층이 한층일때 발생하는 누설전류에 의한 소자 광효율 저하 문제를 해결한다"고 밝혔다.
또 "서로다른 굴절율을 가지는 두개의 전류 제한층 조합을 구성하여 전류 제한층의 반사율이 증가하며, 누설전류 감소 및 동작전류 감소효과가 있어 레이저다이오드 소자의 광효율을 향상시키는 기술"이라고 설명했다.
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