'효자'였던 반도체가 발목…삼성전자, 재고 충당금만 1조원대 2025-07-08 10:09:55

재고 충당금만 1조원대 낸드·파운드리 부진에 DS부문 영업이익 1조원대 2분기 바닥 찍고 하반기 반등할까 (서울=연합뉴스) 강태우 기자 = 삼성전자의 올해 2분기 영업이익이 작년 동기 대비 반토막 난 것은 반도체 사업이 힘을 쓰지 못한 탓이다. 삼성전자 전체 실적의 50∼60%를 견인해온 디바이스솔루션(DS) 부문에서...

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‘성과급’ 하면 삼성전자였는데...“우리가 어쩌다” 2025-07-06 10:10:09

올해 상반기에 주요 메모리 제품 중 하나인 낸드 플래시에서 큰 폭의 영업이익 하락이 예상되고 있다. 또 파운드리와 시스템LSI에서도 조단위 적자가 이어짐에 따라 이번 성과급 지급률이 크게 떨어졌다는 분석이 나온다. 실제로 삼성전자의 2분기 실적 전망치는 하향 조정되고 있다. 지난 5월까지만 하더라도 증권사들 사...

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삼성전자 성과급 '이럴 줄은'…반도체 직원들 울상인 이유 2025-07-04 15:32:29

상반기에는 고대역폭메모리(HBM), 낸드플래시 등 주요 메모리 제품에서 영업이익 하락이 예상되고, 파운드리 및 시스템LSI에서도 조 단위 적자로 전체 성과급 지급률이 크게 낮아진 것으로 분석된다. DX부문의 경우 영상디스플레이(VD)·생활가전사업부는 각각 월 기본급의 37.5%, 50%를 받을 것으로 공지됐다. MX사업부는...

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삼성전자 반도체 '울상'…성과급 대폭 줄었다 2025-07-04 11:19:24

책정됐다. 파운드리(반도체 위탁생산) 사업의 부진이 이어지고 있는 데다 낸드 플래시 업황이 둔화하면서 지난해 상반기와 비교해 성과급 규모가 대폭 줄었다. 삼성전자는 4일 오전 사내망을 통해 올해 상반기 '목표달성 장려금'(TAI·Target Achievement Incentive) 지급률을 공지했다. 지급일은 오는 8일이다....

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삼성 반도체, 올 상반기 성과급 '주춤'…기본급의 최대 25%(종합) 2025-07-04 10:58:25

최대 25%(종합) 반도체 사업부별 TAI 0∼25%…낸드·파운드리 부진 영향 DS부문 임원들, 성과급 반납…경영성과 개선 결의 차원 '갤럭시S25 효과' MX 75%…삼성전기·삼성SDI도 발표 (서울=연합뉴스) 강태우 기자 = 삼성전자 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문의 올해 상반기 성과급이 최대 월 기본급의...

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삼성전자 반도체 올 상반기 성과급 기본급 최대 25% 2025-07-04 10:46:10

전원 반납하기로 했다. 지난해에 이어 올해도 이어진 글로벌 반도체 불황과 낸드플래시 가격 하락, 파운드리 수율 및 수주 부진 등이 DS부문 실적을 끌어내린 것으로 분석된다. 증권가에서는 DS부문 매출을 26조∼28조원, 영업이익을 1조7000억∼2조6000억원으로 추산하고 있다. 정유진 기자 jinjin@hankyung.com

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삼성전자 반도체, 올 상반기 성과급 '주춤'…기본급의 최대 25% 2025-07-04 10:17:16

중 하나인 낸드 플래시에서 큰 폭의 영업이익 하락이 예상되고, 파운드리와 시스템LSI에서도 조단위 적자가 이어짐에 따라 성과급 지급률이 크게 떨어진 것으로 분석된다. 연합인포맥스가 최근 1개월 내 보고서를 낸 증권사 14곳의 실적 컨센서스(전망치)를 집계한 결과, 삼성전자의 올해 2분기 매출과 영업이익은 각각...

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2025 최고 과학기술인상 황철성 교수 2025-07-03 17:21:31

황철성 서울대 석좌교수(사진)를 3일 선정했다. 황 교수는 삼성전자 반도체연구소 선임연구원 등을 지내며 D램, 낸드플래시 등 메모리 반도체 분야 신소재 개발을 선도했다. 과학기술논문인용색인(SCI)급 논문 750여 편을 발표하고 국내외 특허 227건을 출원 또는 등록했다. 반도체 분야 석사 65명, 박사 100명을 배출하는...

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• #2025 최고 #반도체

올해 대한민국최고과학기술인상에 황철성 서울대 교수 2025-07-03 12:00:00

디램(DRAM), 낸드플래시 등 메모리 반도체 분야를 뛰어넘는 새로운 소자와 물질 발견에 기여했으며 저항 스위칭 재료 및 소자 분야 업적으로 국가 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받았다. 황 교수가 저항 변화 메모리 소자 전환 메커니즘에 관해 2010년 국제학술지 '네이처 나노테크놀러지'에 발표한 논문은...

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