삼성전자, 중국 반도체 후공정라인 5억弗 투자

총 투자액 75억弗로 늘어…'시안 R&D 센터' 설립

삼성전자[005930]는 반도체 공장을 건설 중인 중국 산시(陝西)성 시안(西安)에 낸드플래시 메모리반도체 후공정 라인을 추가하기 위해 5억달러 규모의 신규 투자를 하기로 했다고 12일 밝혔다.

후공정라인은 내년 말 완공을 목표로 내년 1월 착공에 들어가며, 현재 건설 중인 반도체 공장 인근에 위치하게 된다.

이번 투자로 삼성전자의 시안 반도체 설비 관련 투자액은 총 75억달러 규모로늘어나게 됐다.

삼성전자는 지난해 9월 내년 가동을 목표로 70억달러를 들여 시안에 10나노미터(nm·1nm=10억분의 1ｍ)급 낸드플래시 생산 공장을 건설하기 위한 공사에 들어갔다.

한편 삼성전자는 중국 현지의 우수한 인재 발굴과 연구개발(R&D) 거점을 구축하기 위해 시안 고신구에 4천227㎡(1천281평) 규모의 R&D 센터를 설립했다.

삼성전자는 이날 권오현 부회장과 러우친젠(婁勤儉) 산시성장, 동쥔(董軍) 서안시장 등 중국 정부 관계자가 참석한 가운데 개소식을 했다.

이에 따라 삼성전자가 중국에서 운영 중인 R&D센터는 모두 8곳으로 늘었다.

중국삼성은 이날 서안 반도체 공장 기공식 1주년을 기념해 산시성과 성내 사회공헌활동(CSR)을 공동 추진하고 'CSR 시범구'를 구축하기로 협약을 맺었다.

abullapia@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>