세계 1위 메모리반도체 생산업체인 삼성전자가 내년 낸드플래시에 대한 공격적인 투자를 예고했다. 최근 낸드플래시 가격 하락세에도 불구하고 기술력과 원가경쟁력을 앞세워 2~5위 업체들과의 점유율 격차를 더 벌리겠다는 것이다. 일본 키옥시아 등 경쟁사들도 최근 증설 등 적극적인 행보를 보임에 따라 내년 이후 낸드 시장에서 격전이 벌어질 것이란 전망이 나온다. 중국 메모리반도체 업체들의 시장 진입과 관련해선 "위협적이지 않다"고 평가했다.
삼성전자는 낸드플래시 관련 뛰어난 기술력과 높은 수익성을 강조하며 점유율 확대에 대한 자신감을 드러냈다. 마이크론의 176단 3D 낸드 개발과 관련해선 "같은 단수의 반도체를 만들더라도 높이가 낮아야 수익성을 높일 수 있다"며 "삼성전자는 낸드 한 덩어리(stack)에 더 많은 단(layer)를 넣을 수 있어 타사 제품보다 높이가 15% 이상 낮다"고 강조했다. 이어 "256단 낸드 제품도 만들 수 있지만 경영 전략과 고객 수요, 수율 등을 감안해 7세대(170단 이상으로 추정) 제품을 준비하고 있다"고 덧붙였다.
이날 삼성전자는 자사 낸드플래시 사업 영업이익과 경쟁업체 두 곳의 영업이익 그래프를 공개하며 "가격경쟁력에서 뛰어난 솔루션을 갖고 있다"고 강조했다.
'기술 격차'에 대해서도 언급했다. 한 전무는 "반도체 산업은 시간이 갈수록 점점 더 어려워진다"며 "새로운 경쟁자는 우선 그런 부분(기술장벽)부터 잡아야하기에 위협이 안될 것"이라고 강조했다.
EUV(극자외선) 노광장비를 적용한 D램 생산에 대한 구체적인 로드맵도 나왔다. 삼성전자는 "EUV 장비를 통해 14nm D램을 양산 중"이라며 "2030년까지 10nm(나노미터, 10억분의 1m) 이하 D램을 생산할 것"이라고 밝혔다.
파운드리와 관련해 삼성전자는 "3년 전에 비해 고객사 수가 차량용 반도체 분야에선 1.6배, HPC(고성능컴퓨팅)은 2.3배 증가했다"며 "고객군이 다양해 TSMC보다 불리하지 않다"고 강조했다.
황정수 기자 hjs@hankyung.com
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