SK하이닉스, 업계 첫 HBM3 D램 개발

핀하기 페이스북 트위터 카카오스토리 블로그 링크 복사 링크 복사

입력 2021-10-20 09:23   수정 2021-10-20 09:24


SK하이닉스는 현존 최고 사양 D램인 '고대역폭메모리(HBM·High Bandwidth Memory) 3'를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다.

SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년3개월 만에 HBM3를 개발하며 이 시장의 주도권을 확고히 했다.

SK하이닉스 관계자는 "이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다"고 강조했다.

속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.

이와 함께 이 제품에는 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 내장돼 있다. HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성도 크게 높아졌다.

이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 특히 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스는 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 3분의 1인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결해냈다. TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.

앞으로 HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.

차선용 SK하이닉스 부사장(D램개발담당)은 "세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다"며 "앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 할 것"이라고 말했다.

노정동 한경닷컴 기자 dong2@hankyung.com


    핀하기 페이스북 트위터 카카오스토리 블로그 링크 복사 링크 복사

    관련뉴스

      top
      • 마이핀
      • 와우캐시
      • 고객센터
      • 페이스 북
      • 유튜브
      • 카카오페이지

      마이핀

      와우캐시

      와우넷에서 실제 현금과
      동일하게 사용되는 사이버머니
      캐시충전
      서비스 상품
      월정액 서비스
      GOLD 한국경제 TV 실시간 방송
      GOLD PLUS 골드서비스 + VOD 주식강좌
      파트너 방송 파트너방송 + 녹화방송 + 회원전용게시판
      +SMS증권정보 + 골드플러스 서비스

      고객센터

      강연회·행사 더보기

      7일간 등록된 일정이 없습니다.

      이벤트

      7일간 등록된 일정이 없습니다.

      공지사항 더보기

      open ​​