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미국 정부가 자국 반도체지원법에 따라 보조금을 받는 기업이 중국 내 첨단 반도체 생산 능력을 확장할 수 있는 범위를 당초 예정대로 5%로 유지하기로 했다. 지난 3월 초안 발표 이후 기준을 완화해 달라는 삼성전자, SK하이닉스 등의 요청이 받아들여지지 않은 것이다.
미 상무부는 21일(현지시간) 이 같은 내용을 포함한 반도체법 가드레일(안전장치) 규정 최종안을 공개했다. 상무부는 10년간 첨단 반도체는 5% 이상, 이전 세대의 범용 반도체는 10% 이상 증설하지 못하도록 했다. 이 규정을 어기면 보조금을 환수할 수 있도록 했다. 상무부는 2년마다 바꾸는 범용 반도체를 현재 중국이 생산할 수 있는 제품으로, 나머지는 첨단 반도체로 각각 분류했다. 현재는 128단 이하의 낸드플래시와 18나노미터(㎚: 1㎚=10억분의 1m) 이상의 D램, 28나노 이상의 시스템 반도체를 범용 반도체로 규정하고 있다.
다만 상무부는 올 3월 발표한 초안에서 ‘중대한’ 거래 기준을 10만달러(약 1억3550만원)로 규정했는데 이번 최종안에서 이 한도를 뺐다. 블룸버그통신은 “이 조치는 인텔과 삼성전자 등 업계 의견을 반영해 조정한 것으로 이들 모두 미국 정부의 반도체 보조금을 받을 것”으로 전망했다.
한국 정부는 3월 중국 내 첨단 반도체 생산시설 확대 한도를 10%로 완화해달라고 요구했다. 지나 러몬도 상무장관은 이날 성명을 통해 “이번 가드레일은 미국 정부의 자금을 받는 기업들이 국가 안보를 훼손하지 않도록 하는 데 도움이 될 것”이라고 강조했다.
워싱턴=정인설 특파원/김익환 기자 surisuri@hankyung.com
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