반도체 기술 中에 또 유출…"삼성전자 피해액만 수조원"

국내 반도체 기술을 중국 업체에 넘긴 전직 삼성전자 직원 등에 대해 검찰이 구속영장을 청구했다.

13일 법조계에 따르면 서울중앙지방검찰청 정보기술범죄수사부(부장검사 이춘)는 2016년 중국의 신생 반도체업체인 창신메모리에 삼성전자의 16나노급 D램 핵심 기술을 넘긴 혐의를 받는 전 삼성전자 부장 김모씨에 대해 구속영장을 청구했다. 또 기술 유출에 관여한 혐의로 삼성전자 관계사인 반도체 설비업체 전 직원 방모씨에 대해 구속영장을 청구했다. 김씨는 삼성전자를 그만둔 뒤 중국 업체로 이직한 것으로 알려졌다.

업계에서는 기술 유출로 삼성전자가 입은 피해액만 수조원에 달하는 것으로 추정하고 있다. 또 중국 업체가 고난도의 나노급 D램을 양산할 수 있도록 기술격차를 줄이는 데 김씨가 큰 역할을 했다고 판단하고 있다. 창신메모리는 지난달 중국 최초로 5세대 초저전력 D램을 개발했다고 밝혔다.

검찰은 김씨와 방씨 이외에 하청업체 출신 등 인력 수십 명이 기술 유출에 가담한 것으로 보고 있다. 추가 공범에 대한 수사를 이어가고 있다.

앞서 국가정보원은 기술 유출 정황을 포착해 지난 5월 검찰에 수사를 의뢰했다. 하지만 검찰은 김씨와 방씨 등이 중국에 머물고 있어 제대로 된 수사를 진행할 수 없었다. 이후 일당이 지난 10월 국내로 귀국하면서 수사가 급물살을 타게 됐다. 검찰 관계자는 “수사가 진행 중이라 구체적 내용을 확인해 줄 수 없다”고 말했다. 법원은 15일 김씨와 방씨에 대한 영장실질심사를 진행할 예정이다.

이처럼 반도체 등 국가 핵심 기술이 중국 등 해외로 빈번하게 유출되는 실정이다. 삼성전자 반도체 공장 설계도를 중국에 유출한 혐의로 지난 6월 구속기소돼 수감 중이던 삼성전자 전 상무 A씨는 최근 보석으로 풀려났다. 당시 보석금이 5000만원에 불과해 처벌이 지나치게 관대하다는 논란을 빚기도 했다.

A씨는 퇴직 후 싱가포르에 반도체 컨설팅 업체를 설립하고 해외 기업으로부터 약 8조원을 투자받아 중국에 삼성전자 반도체 공장 설계도를 기반으로 한 ‘복제 공장’을 세우려고 했다. 검찰은 A씨의 범행으로 최소 3000억원의 피해가 발생한 것으로 봤다.

권용훈 기자 fact@hankyung.com