삼성전자가 이르면 내년 차세대 고대역폭메모리(HBM) 16단 적층 제품을 출시한다. 인공지능(AI)용 메모리 반도체인 HBM은 D램을 여러 개 쌓아 만드는데, 현재 상용화된 제품은 8단이다. 삼성전자는 HBM3E 제품을 12단으로 개발하는 데 성공했으며 HBM4는 16단으로 만들기로 했다.
윤재윤 삼성전자 D램 개발실 상무는 18일 삼성전자 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 “고온 열 특성에 최적화된 비전도성 필름(NCF) 조립 기술과 최첨단 공정 기술을 통해 차세대 HBM4에 16H(16단 적층) 기술을 채택할 것”이라고 밝혔다. HBM은 여러 겹을 쌓을수록 용량과 데이터처리 속도를 높일 수 있다.
박의명 기자 uimyung@hankyung.com
윤재윤 삼성전자 D램 개발실 상무는 18일 삼성전자 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 “고온 열 특성에 최적화된 비전도성 필름(NCF) 조립 기술과 최첨단 공정 기술을 통해 차세대 HBM4에 16H(16단 적층) 기술을 채택할 것”이라고 밝혔다. HBM은 여러 겹을 쌓을수록 용량과 데이터처리 속도를 높일 수 있다.
박의명 기자 uimyung@hankyung.com
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