대만 TSMC가 내년 파운드리(반도체 수탁생산)업체 간 수주 경쟁이 펼쳐질 2나노미터(nm·1nm=10억분의 1m) 공정에 대해 "3nm 공정보다 많은 고객을 확보할 수 있을 것"이라고 자신했다. 최첨단 파운드리 공정 경쟁에서 승기를 잡았다고 선언한 것이다. 삼성전자는 다음 달 미국 실리콘밸리에서 열리는 파운드리 포럼을 통해 2nm 이하 최첨단 공정과 관련한 반격 계획을 공개한다.
27일 공상시보 등 대만 매체에 따르면 장샤오강 TSMC 공정개발 담당 부사장은 지난 23일 열린 한 포럼에서 "2nm 공정 개발이 순조롭게 진행되고 있다"며 "계획대로 2025년께 양산할 수 있을 것"이라고 말했다. 일각에서 제기한 "TSMC가 기술적인 문제로 2nm 공정 본격 양산 시점을 2026년까지 연기할 것"이란 관측을 일축한 것이다.
TSMC의 2nm 공정 연기설이 흘러나온 이유는 '게이트올어라운드(GAA)'라고 불리는 전류 제어 기술을 처음 적용하기 때문이다. 삼성전자가 2022년 6월 3nm 공정에 도입한 이 기술은 반도체 스위치 역할을 하는 트랜지스터의 누설 전류를 줄여 칩의 전력 효율성을 높일 수 있는 게 특징이다. 장 부사장은 "GAA로 적용했을 때의 수율(전체 생산품 대비 양품 비율)은 목표치의 90%에 도달했다"고 설명했다.
웨이 저자 TSMC 최고경영자(CEO)는 "2nm 공정에 대한 수요는 3nm, 5nm를 넘어설 것"이라며 자신감을 나타냈다. 현재 TSMC의 주력인 3nm 공정도'라인이 부족해서 못 팔 정도'라는 얘기가 나오는데, 2nm 공정 수요는 이보다도 많다는 얘기다. TSMC 관계자는 "연말까지 3nm 생산능력을 3배까지 늘릴 계획"이라며 "그래도 고객 주문을 다 받을 수 없다"고 말했다.
TSMC의 자신감은 매출의 25~30%를 차지하는 대형 고객사 애플과의 밀월에서 비롯됐다는 분석이다. 제프 윌리엄스 애플 최고운영책임자(CCOO)가 지난 20일께 대만을 극비방문해 웨이 CEO와 2nm 협력 방안을 논의했다는 외신 보도도 나왔다.
삼성전자 파운드리사업부는 다음 달 12~13일 미국 실리콘밸리에서 파운드리·SAFE 포럼을 열고 기술 로드맵, 파운드리 생태계 강화 방안 등을 발표할 계획이다. 지난 21일 반도체(DS)부문장이 전영현 부회장으로 바뀐 뒤 처음 열리는 글로벌 행사인 만큼 업계의 관심이 쏠리고 있다. 이 자리에서 삼성전자가 2027년으로 설정한 1nm대 공정 양산 일정을 2026년으로 앞당길 것이란 관측이 나온다.
황정수 기자 hjs@hankyung.com
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