당초 다음달 경기 용인 반도체 클러스터에 착공할 것으로 알려졌던 SK하이닉스의 1기 팹(fab·반도체 생산공장)이 빠르게 첫 삽을 떴다. 용인시가 신속하게 인허가 절차를 밟아 지난 21일 건축을 허가한 덕분에 착공 일정을 예정보다 앞당긴 것이다.
25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 지난 24일 용인 반도체 클러스터 1기 팹 착공에 들어갔다.
용인 처인구 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 들어서는 용인 반도체 클러스터는 △SK하이닉스 팹 60만평 △소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화 단지 14만평 △인프라 부지 12만평으로 조성된다. SK하이닉스는 이곳에 모두 4기의 팹을 순차 건립할 예정으로 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다.
회사 측은 “SK하이닉스 용인캠퍼스는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로 구축된다”면서 “급증하는 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요에 적기 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정”이라고 말했다.
SK하이닉스는 1기 팹과 업무 시설 건설에 약 9조4000억원을 투자한다. 최태원 SK그룹 회장은 지난 2023년 부지 조성 작업 중인 현장을 직접 찾아 “용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트”라며 “지금까지 해오던 대로 하는 것 이상의 도전이 필요하다”고 강조한 바 있다.
SK하이닉스는 이외에도 연내 준공을 목표로 충북 청주에 HBM 생산기지 ‘M15X’를 짓는 등 HBM 수요 급증에 대응해 생산능력을 끌어올리고 있다.
김봉구 한경닷컴 기자 kbk9@hankyung.com
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