한미반도체, HBM 하이브리드 본더 1000억 투자

한미반도체가 고사양의 고대역폭메모리(HBM) 제조에 쓰일 하이브리드 본딩 기술에 1000억원을 투자하고, 2027년 말 하이브리드 본더 장비를 출시하겠다고 25일 밝혔다.

이를 위해 인천 주안국가산업단지에 총 1000억원을 들여 내년 하반기 완공을 목표로 연면적 1만4570㎡, 지상 2층 규모로 하이브리드 본더 공장을 짓고 있다. 이번 투자로 총 8만9530㎡(약 2만7083평) 규모 생산 라인을 완비하게 된다. 이곳에서 고스펙의 HBM용 열압착(TC) 본더, 플럭스리스 본더, 인공지능(AI) 2.5D 패키지용 빅다이 TC 본더를 비롯해 HBM과 로직반도체 XPU(통합처리장치)에 사용되는 하이브리드 본더 등 차세대 장비를 생산할 계획이다.

하이브리드 본더는 HBM에 들어가는 D램을 쌓아 올릴 때 하나로 엮어주는 장비로, 현재 주력인 TC 본더보다 업그레이드됐다. D램 사이에서 가교 역할을 하는 단자(범프)가 필요 없어지는 만큼 HBM을 더욱 얇게 만들 수 있다. 기존 TC 본더에 비해 발열도 줄어든다. 업계에선 삼성전자가 하이브리드 본더를 6세대 HBM(HBM4)에, SK하이닉스는 7세대 제품(HBM4E)에 적용할 것으로 예상하고 있다.

김채연 기자 why29@hankyung.com