SK하이닉스는 12일 "새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다"고 밝혔다. 이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 입증했다는 평가다.
HBM은 1세대 HBM을 시작으로 2세대 HBM2, 3세대 HBM2E, 4세대 HBM3, 5세대 HBM3E, 6세대HBM4 순으로 개발됐다.
조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 했다.
최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭메모리 수요가 급증하고 있다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담이 더해져 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했다.
SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 보고 있다.
HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. 세계
최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것이다.
이 제품을 고객 시스템에 도입할 경우 AI 서비스 성능을 최대 69% 향상시킬 수 있다. 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소할 뿐 아니라 데이터센터 전력 비용도 큰 폭으로 줄일 수 있다는 것이 회사 측 설명이다.
SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해 국제반도체표준협의기구 JEDEC의 HBM4 표준 동작 속도인 8Gbps를 넘었다.
회사는 HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식보다 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이다. 특히, SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고 휨 현상 제어도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다는 평가다.
김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로 AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급하여 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 나가겠다”고 말했다.
SK하이닉스는 앞서 노사 임금교섭 합의를 통해 "경영 성과를 투명한 기준에 따라 개인의 보상으로 연계해 내적 동기 부여를 극대화했다"고 밝혔다. 당시 SK하이닉스 노사는 초과이익분배금(PS) 상한을 폐지하고 임금을 6% 인상하는 데 합의했다. 업계에선 단순 계산할 경우 직원 1인당 약 1억원 안팎의 금액을 성과급으로 받게 될 것이라고 내다봤다.
직장인 익명 커뮤니티에선 SK하이닉스 직원임을 인증한 현직자들이 "오늘부터 야근이다. 개발 일정 하루라도 앞당긴다"거나 "일하러 가자. 삼성이 따라온다더라"는 등의 게시글 올려 화제가 되기도 했다.
김대영 한경닷컴 기자 kdy@hankyung.com
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