SK하이닉스가 "6세대 고대역폭메모리(HBM4) 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다"고 12일 발표했다. 엔비디아 등 주요 고객사가 진행 중인 품질 테스트를 통과하면 바로 납품할 준비를 마쳤다는 의미다.
메모리반도체 기업이 '제품 개발을 마무리했고, 양산 체제를 갖췄다'는 내용의 보도자료를 배포하는 건 이례적인 일로 평가된다. 업계에서 "엔비디아의 HBM4 요구 성능을 SK하이닉스가 맞추기 어려울 것"이란 관측이 제기되자 진화에 나선 것이란 분석이 나온다.
SK하이닉스는 이날 보도자료의 상당 부분을 할애해 HBM4의 성능 개선에 관해 설명했다. 조주환 SK하이닉스 HBM 개발 담당 부사장은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것"이라고 밝혔다.
SK하이닉스에 따르면 HBM4는 이전 세대 HBM3E보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대했다. 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. 이 제품을 고객 시스템에 도입할 경우 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 높일 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 SK하이닉스는 설명했다.
최근 반도체 업계의 이슈가 된 HBM4의 동작 속도에 대해서도 "HBM4는 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해, 국제반도체표준협의기구 JEDEC의 HBM4 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어넘었다"고 강조했다.
엔비디아는 HBM4 개발사에 "10~11Gbps의 동작 속도를 구현해달라"고 최근 요구했다. 일각에선 HBM4의 두뇌 역할을 하는 로직 다이를 4㎚ 파운드리 공정에서 생산하는 삼성전자 대비 TSMC의 12㎚ 공정을 활용하는 SK하이닉스가 불리할 것이란 진단이 나왔다. SK하이닉스의 이번 발표는 TSMC의 12㎚ 공정을 쓰더라도 주요 고객사의 요구를 충분히 충족할 수 있다는 자신감의 표현으로 해석된다.
SK하이닉스는 HBM4 개발을 위해 시장에서 안정성이 검증된 자체 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노 5세대 D램(1b D램) 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다.
김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장은 "이번 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점이자 AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품"이라며 "SK하이닉스는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 가겠다"고 말했다.
경쟁사 삼성전자도 HBM4 개발 관련 속도를 내고 있다. 삼성전자는 HBM4 관련 주요 고객사 대상 최종샘플(CS) 출하 일정도 이번달 말로 앞당긴 것으로 알려졌다.
황정수 기자 hjs@hankyung.com
관련뉴스
