삼성전자 평택 5공장 공사 재개, SK하이닉스 용인 1공장 조기 가동….
올 4분기 들어 흘러나온 메모리 반도체 기업의 생산시설 확충 움직임이다. 시장에선 메모리 기업이 빠르게 증설에 나서자 ‘슈퍼호황 기간 단축’에 대한 우려가 나왔다. 반도체업계에선 ‘기우’라고 평가한다. 신규 공장 가동은 일러야 2027년 이후에나 가능한 데다 내년 설비투자(CAPEX)도 ‘레거시(전통) 제품 라인의 신형 전환’에 집중되기 때문이다.
21일 반도체업계에 따르면 마이크론은 2026회계연도(2025년 9월~2026년 8월) 설비투자액을 기존 180억달러에서 200억달러로 11.1% 상향 조정했다. 고대역폭메모리(HBM)와 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대(1c) D램 공급을 확대하려는 목적이다. 미국 아이다호주 신규 공장의 생산 시점은 2027년 하반기에서 2027년 중반으로 앞당겼다. 뉴욕 신공장은 2026년 착공, 2030년 가동을 목표로 한다.
시장에선 마이크론의 설비투자 확대에 대해 ‘질서 있는 증설’이란 분석을 내놓는다. 30% 안팎으로 추산되는 D램과 낸드플래시 시장의 내년 수요 증가율을 충족하기엔 ‘크게 부족한 수준’이란 이유에서다. 내년 본격화하는 6세대 HBM(HBM4)의 웨이퍼 사용량이 현재 주력인 5세대 HBM(HBM3E)보다 33% 많은 것도 공급 부족을 심화하는 요인으로 분석된다. HBM4에 파운드리(반도체 수탁생산) 공정이 적용되고 데이터 출입 통로가 두 배로 늘어나 공정 난도가 높기 때문이다.
신공장 증설에 속도를 내는 삼성전자와 SK하이닉스에 대해서도 “생산량 증가폭이 크지 않을 것”이란 분석이 우세하다. 글로벌 투자은행(IB) 뱅크오브아메리카는 내년 SK하이닉스의 설비투자액이 2025년 대비 55% 급증하지만 실질적인 생산량 증가폭은 20% 미만에 그칠 것으로 내다봤다. 설비투자의 30%가 인프라, 40%는 전통 제품 라인의 최신 공정 전환에 투입되기 때문이다. 삼성전자도 평택캠퍼스에서 HBM4용 1c D램 증설에 나섰지만 공격적인 투자로 보기엔 어렵다는 평가가 많다.
이에 따라 내년 D램과 낸드플래시 가격은 가파른 상승 곡선을 그릴 것으로 전망된다. JP모간은 내년 D램 평균판매단가(ASP) 상승률을 57%로, 골드만삭스는 80%로 제시했다.
황정수/김채연 기자 hjs@hankyung.com
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