25일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아, AMD 등이 진행한 HBM4 관련 최종 품질 테스트를 통과한 데 따라 다음달 본격 출하하기 위해 준비 작업에 들어갔다. 삼성전자의 HBM4는 엔비디아와 AMD가 요구한 동작속도(초당 10Gb)보다 훨씬 높은 ‘초당 11.7Gb(기가비트)’를 구현했다. 세계 최고 수준으로 평가된다. 이 제품은 엔비디아 ‘루빈’, AMD ‘MI450’ 등 올 하반기에 나오는 최신 AI 가속기에 들어갈 것으로 알려졌다.
현재 주력 제품인 HBM3E 납품 경쟁에서 SK하이닉스와 미국 마이크론에 밀린 삼성전자는 HBM4 시장에서 전세를 뒤집기 위해 ‘최고 성능 구현’이라는 승부수를 던졌다. HBM의 기본 재료인 D램을 경쟁사보다 한 세대 앞선 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대(1c) 제품으로 하고, 두뇌 역할을 하는 로직 다이에도 라이벌보다 몇 세대 나아간 첨단 공정인 4㎚ 파운드리(반도체 수탁생산)를 적용했다. 지난해 4분기 엔비디아 등 주요 고객사가 AI 가속기 성능을 끌어올리기 위해 HBM4 동작속도를 높여달라고 요청하자, 최고 성능으로 설계한 삼성전자는 재설계 없이 바로 검증을 통과했다.
삼성전자는 로직 다이 설계부터 패키징까지 HBM 전 공정을 직접 다 할 수 있는 강점을 앞세워 HBM4E(7세대), 맞춤형 HBM 등 차세대 제품에서도 주도권을 이어갈 계획이다.
황정수/김채연 기자 hjs@hankyung.com
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