삼성전자가 세계 3대 반도체 장비사인 미국 어플라이드머티어리얼즈와 3D(3차원) 메모리 적층 등 차세대 반도체 기술을 공동으로 연구한다. 이를 통해 연구개발(R&D)부터 상용화까지 걸리는 신제품 출시 주기를 획기적으로 단축한다는 계획이다.
12일 어플라이드머티어리얼즈는 자사가 50억달러(약 7조2000억원)를 투자해 미국 실리콘밸리에 짓고 있는 ‘에픽(EPIC) 센터’에 삼성전자가 첫 번째 멤버로 합류한다고 발표했다. 미국 최대 반도체 장비 R&D 시설이 될 것으로 전망되는 에픽 센터는 올해 문을 연다.
이곳에서 두 회사는 새로운 반도체 소재 발굴, 메모리 아키텍처 고도화 등의 분야에서 공동으로 연구를 진행할 예정이다. 어플라이드머티어리얼즈는 매출 기준(지난해 283억6800만달러) 세계 2위 반도체 업체다. 증착(웨이퍼 위에 얇은 막을 입히는 공정) 분야 세계 최강자다.
이날 어플라이드머티어리얼즈는 서울 강남구 조선팰리스 강남에서 기자회견을 열고 최첨단 인공지능(AI) 칩의 성능을 높이는 신규 장비 3종을 공개했다. 트랜지스터라는 가장 기본적인 전자 소자를 원자 단위에서 개선함으로써 컴퓨팅 성능을 향상하는 제품이다.
가장 먼저 소개한 비바(VIVA) 라디칼 처리 시스템은 전류가 흐르는 나노시트 표면을 옹스트롬(0.1㎚) 수준으로 균일하게 처리해 칩 성능을 끌어올린다. 두번째로 공개한 ‘Sym3 Z 매그넘’ 식각 시스템은 마이크로초 단위로 이온을 제어해 정밀한 식각을 돕는다.
‘센트리스 스펙트럴 몰리브덴’ 원자층증착(ALD) 시스템은 기존 트랜지스터 연결 소재인 텅스텐을 몰리브덴으로 대체해 칩 성능과 에너지 효율을 개선하는 제품이다.
케빈 모라스 마케팅 총괄 부사장은 이날 “AI반도체의 빠른 연산을 위해서는 칩 설계부터 패키징까지 전 단계에 걸쳐 에너지 효율성을 강화해야 한다”며 “어플라이드머티어리얼즈가 더욱 높은 에너지 효율성을 위해 기여할 것”이라고 강조했다.
박의명 기자 uimyung@hankyung.com
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