퀄컴도 韓개발자 채용 나섰다…"3D D램 선점"

퀄컴이 한국에서 3차원(3D) D램 연구개발(R&D) 경력직 모집에 나섰다. 3D D램은 기억 소자를 수직으로 쌓아 기존 제품 대비 용량을 크게 늘릴 수 있는 차세대 메모리 반도체다. 퀄컴의 채용에 대해 삼성전자와 SK하이닉스 등 세계적 메모리 회사가 있는 한국에서 ‘게임 체인저’가 될 수 있는 기술에 선제 대응하려는 포석이란 분석이 나온다.

23일 반도체업계에 따르면 퀄컴은 최근 ‘3D D램 아키텍트’ 개발 인력을 채용하고 있다. 이 회사는 채용 공고를 통해 “3D D램 구조 평가와 최적화를 담당할 인력을 뽑는다”며 “‘메모리 센트릭’ 컴퓨팅을 위한 설계 인력을 원한다”고 설명했다.

퀄컴은 채용 공고에서 3D D램을 퀄컴의 주력인 모바일용 칩뿐만 아니라 확장현실(XR) 생태계에서도 활용할 수 있음을 시사했다. 2.5D·3D 패키징 경력자를 우대한다는 내용도 넣었다. 3D D램을 연산 장치(프로세서) 주변에 배치하거나 바로 위에 쌓는 방안까지 준비 중인 것으로 분석된다.

퀄컴의 이번 채용은 3D D램 시대에 본격적으로 대응하는 움직임으로 해석된다. 3D D램은 칩 안에 있는 기억 소자를 마치 아파트처럼 수직으로 쌓은 것이 특징이다. 이렇게 하면 같은 면적에도 더 많은 양의 기억 소자를 넣을 수 있어 용량이 대폭 늘어난다.

현재 삼성전자, SK하이닉스 등은 3D D램을 구현하기 위한 기술 개발에 한창이다. 삼성전자는 ‘차차세대’ 제품인 1나노급 1세대(0a) D램부터 기억 소자를 꼿꼿하게 세우는 초기 단계 3D D램인 ‘VCT(수직채널트랜지스터) D램’을 도입할 예정이다. SK하이닉스는 이 기술을 활용한 ‘VG(버티컬게이트) D램’을 1나노급 2세대(0b)부터 본격화할 계획이다.

강해령 기자 hr.kang@hankyung.com