"SK하이닉스, 2029년 HBM5 출시"

SK하이닉스가 2029년 꿈의 반도체 공정인 ‘하이브리드 본딩’을 구현해 8세대 고대역폭메모리(HBM5)를 만들 것이라는 전망이 나왔다.

6일 시장조사업체 카운터포인트리서치는 “SK하이닉스는 반도체 장비 회사 어플라이드머티어리얼즈와 베시의 통합 하이브리드 본딩 설비를 도입해 향후 HBM의 전력과 속도 등을 향상시킬 것”이라고 내다봤다.

하이브리드 본딩은 차세대 패키징 공정이다. 서로 다른 칩과 원판(웨이퍼)을 납땜 없이 곧바로 포갤 수 있는 것이 특징이다. 결합한 칩 사이 간격을 거의 ‘0’까지 줄일 수 있어 두께는 물론 성능까지 개선할 수 있다. 다만 현재 납땜을 활용하는 열압착(TC) 본딩이나 매스리플로-몰디드언더필(MR-MUF) 방식보다 공정 단계가 까다롭고 난도가 높다.

카운터포인트리서치는 HBM5가 하이브리드 본딩 공정의 실질적 전환점이 될 것으로 예상했다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론테크놀로지 등 주요 메모리 제조사는 고성능 인공지능(AI) 메모리를 구현하기 위해 현존 최첨단 제품인 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 이후부터 하이브리드 본딩 도입을 추진하고 있다.

강해령 기자 hr.kang@hankyung.com