차세대 메모리의 3차원 적층법 논문 발표 <연구재단>

한국연구재단은 서울대 재료공학부 황철성 교수팀 석준영 박사과정 연구원(제1저자)과 한국과학기술연구원(KIST) 정두성 박사팀이차세대 저항변화 메모리 소자를 3차원으로 쌓기 위한 과제를 정리한 논문을 발표했다고 24일 밝혔다.

저항변화 메모리는 저항변화 물질에 특정 전압(또는 전류)을 넣었을 때 변하는저항상태를 디지털 신호로 만들어 정보를 저장하는 차세대 비휘발성 메모리의 한 종류이다.

관련 분야 연구자들은 저항변화 메모리 소자의 집적도를 높이기 위해 3차원으로적층하는 연구를 진행해오고 있다.

2차원 소자를 수평으로 단순히 쌓아올리는 방식은 복잡한 식각 공정을 반복해야하는 등 번거로워, 2차원 소자를 기판에 수직으로 배열하는 3차원 구조 개발에 집중하고 있다.

연구팀은 국내외 연구자들에 의해 진행돼 온 저항변화 메모리 소자의 3차원 적층구조에 대한 연구결과를 체계적으로 정리해 리뷰논문을 발표했다.

기존 3차원 적층기술의 경우, 각 층을 연결하는 배선이 늘어나면서 집적도가 떨어지는 문제가 있어 논문을 통해 배선의 일부를 모아 판 형태로 만드는 기술을 제안했다.

이번 연구는 미래창조과학부와 한국연구재단이 추진하는 글로벌연구실사업의 지원을 받았다. 연구 결과는 재료과학 분야 국제학술지 '어드밴스드 펑셔널 머티리얼스'(Advanced Functional Materials) 온라인판 지난 3일자에 실렸다.

jyoung@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>