삼성전자, 미국 D램라인 낸드공정 전환

삼성전자가 지난 97년 설립한 미국 텍사스주 오스틴 공장의 D램라인 가동을 내년말에 중단하고 낸드플래시 후공정 라인으로 전환합니다.

삼성전자 관계자는 "그동안 수요가 있어서 100나노급 공정으로 D램을 생산해왔지만 수익성이 떨어져 낸드플래시 후공정 라인으로 전환하기로 했다"며 "물량이 그렇게 많지는 않아 D램 시장에 영향을 미칠 정도는 아니다"고 말했습니다.

삼성전자는 올초에도 8인치 D램 생산라인(80나노급 공정)인 화성 10공장 가동을 중단한 바 있습니다.