삼성전자, 세계 최초 30나노 D램 개발

삼성전자가 지난 1월 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb DDR3 D램을 개발했다.

이번 제품은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로, 삼성전자는 올 하반기부터 본격적인 생산에 들어간다는 예정이다.

30나노급 D램은 지난해 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있는 것이 장점이다.

또 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.

조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 ""삼성전자가 지난해 40나노 2Gb DDR3 제품을 개발한 데 이어, 이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상, 한 걸음 더 벌려 놓았다"고 평가했다.

이와 함께 "30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품으로, 고객들과의 윈윈 관계를 더욱 강화시키는데 크게 기여할 것이다. 이를 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것"이라고 덧붙였다.