삼성전자가 차세대 고성능 모바일 기기, 메모리카드, SSD(Solid State Drive) 등 제품에 탑재할 차세대 고속 낸드플래시 기술을 개발하고 플래시 메모리 시장 성장을 이끌어가겠다는 계획을 밝혔다.
차세대 고속 낸드플래시는 기존 범용 낸드플래시보다 10배로 빨라진 400Mbps 속도로 데이터 처리가 가능한 기술이다.
이를 위해 삼성전자는 차세대 고속 낸드플래시의 인터페이스 규격인 ''Toggle DDR 2.0''이 시장 표준으로 자리잡을 수 있도록 JEDEC(세계반도체표준협의기구) 표준 등록을 추진중이라고 밝혔다.
삼성전자는 지난해 ''Toggle DDR 1.0'' 방식의 30나노급 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시를 세계 최초로 양산하기 시작했고, ''Toggle DDR 2.0'' 방식의 차세대 고속 낸드플래시는 내년부터 본격적으로 양산할 예정이다.
''Toggle DDR 2.0'' 방식의 차세대 고속 낸드플래시는 기존 SDR(Single Data Rate) 방식의 범용 낸드플래시의 데이터 처리속도 40Mbps에 비해서는 10배, 133Mbps인 ''Toggle DDR 1.0'' 방식 고속 낸드플래시에 비해서는 3배 빠른 것으로 알려져있다.
차세대 고속 낸드플래시는 기존 범용 낸드플래시보다 10배로 빨라진 400Mbps 속도로 데이터 처리가 가능한 기술이다.
이를 위해 삼성전자는 차세대 고속 낸드플래시의 인터페이스 규격인 ''Toggle DDR 2.0''이 시장 표준으로 자리잡을 수 있도록 JEDEC(세계반도체표준협의기구) 표준 등록을 추진중이라고 밝혔다.
삼성전자는 지난해 ''Toggle DDR 1.0'' 방식의 30나노급 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시를 세계 최초로 양산하기 시작했고, ''Toggle DDR 2.0'' 방식의 차세대 고속 낸드플래시는 내년부터 본격적으로 양산할 예정이다.
''Toggle DDR 2.0'' 방식의 차세대 고속 낸드플래시는 기존 SDR(Single Data Rate) 방식의 범용 낸드플래시의 데이터 처리속도 40Mbps에 비해서는 10배, 133Mbps인 ''Toggle DDR 1.0'' 방식 고속 낸드플래시에 비해서는 3배 빠른 것으로 알려져있다.
관련뉴스
