반도체 후공정 전문기업인 하나마이크론의 자회사인 하나실리콘(대표 최창호)이 국내에서는 처음으로 480mm 단결정 실리콘 잉곳을 개발했다고 밝혔습니다.
하나실리콘은 지난 2008년부터 지경부 주관하에 삼성전자와 공동으로 진행해 온 ‘Dry Etcher용 480mm 단결정 실리콘 부품소재 기술 개발’국책과제를 수행한 결과, 최근 480mm 단결정 실리콘 잉곳 성장에 성공했다고 설명했습니다.
단결정 실리콘 잉곳은 원소재인 폴리실리콘을 고순도의 단결정 실리콘으로 변환시킨 반도체용 웨이퍼의 원재료로 지금까지는 2009년 하나실리콘이 개발한 420mm가 국내에서는 최대입니다.
이번 480mm 단결정 실리콘 잉곳 개발 성공으로 하나실리콘은 향후 도래할‘450mm 웨이퍼’시대를 대비한 기반을 미리 확보하게 됐다고 강조했습니다.
최창호 대표는“하나실리콘이 480mm 단결정 실리콘 잉곳 개발에 성공한 요인은 잉곳 성장설비의 핵심부품인 Hot Zone 설계 와 성장요소 최적화 등 핵심기술을 자체 개발, 보유하고 있기 때문”이라며 “차세대 웨이퍼에 대비해 향후 전세계 유수 반도체 장비 업체와 공동으로 관련 부품, 소재 개발을 통해 시장선점에 나설 것”이라고 말했습니다.
하나실리콘은 지난 2008년부터 지경부 주관하에 삼성전자와 공동으로 진행해 온 ‘Dry Etcher용 480mm 단결정 실리콘 부품소재 기술 개발’국책과제를 수행한 결과, 최근 480mm 단결정 실리콘 잉곳 성장에 성공했다고 설명했습니다.
단결정 실리콘 잉곳은 원소재인 폴리실리콘을 고순도의 단결정 실리콘으로 변환시킨 반도체용 웨이퍼의 원재료로 지금까지는 2009년 하나실리콘이 개발한 420mm가 국내에서는 최대입니다.
이번 480mm 단결정 실리콘 잉곳 개발 성공으로 하나실리콘은 향후 도래할‘450mm 웨이퍼’시대를 대비한 기반을 미리 확보하게 됐다고 강조했습니다.
최창호 대표는“하나실리콘이 480mm 단결정 실리콘 잉곳 개발에 성공한 요인은 잉곳 성장설비의 핵심부품인 Hot Zone 설계 와 성장요소 최적화 등 핵심기술을 자체 개발, 보유하고 있기 때문”이라며 “차세대 웨이퍼에 대비해 향후 전세계 유수 반도체 장비 업체와 공동으로 관련 부품, 소재 개발을 통해 시장선점에 나설 것”이라고 말했습니다.