"기술로 불황돌파"…SK하이닉스, '최고 용량' 3세대 10나노급 D램 개발

SK하이닉스는 3세대 10나노급 미세 공정을 적용한 16기가비트 DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다.

단일 칩 기준으로는 업계 최대 용량인 16기가비트를 구현했다는 설명이다.

웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다.

이번에 개발한 D램은 2세대 제품과 비교할 때 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV 노광 공정 없이도 생산 가능하다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3,200Mbps까지 안정적으로 지원한다.

전력 효율도 대폭 높여, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.

특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량을 극대화했다.

또 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다는 설명이다.

이정훈 SK하이닉스 담당은 "업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품이다"고 말했다.

이어 "연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것이다"고 덧붙였다.

한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등에 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용한다는 계획이다.