삼성전자, 세계 최초 3나노 공정 개발 성공
반도체 미세화 선도…시스템반도체 1위 '청신호'
이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 행선지로 세계 최초로 3나노 공정을 개발한 반도체 개발현장을 택했다. 삼성은 초미세 공정에서 경쟁자들을 압도하면서 2030년 시스템반도체 세계 1위를 달성하겠다는 목표에 한걸음 다가섰다.
이재용 부회장은 오늘(2일) 화성사업장 내에 있는 반도체연구소를 찾아, 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고 받고 DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다. 이 자리에는 김기남 부회장, 정은승 사장, 진교영 사장, 강인엽 사장, 강호규 반도체 연구소장 부사장 등 반도체 핵심 인력이 참석했다.
이재용 부회장이 새해 첫 경영 행보를 반도체 개발 현장에서 시작한 것은 메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 미래 비전을 다시 한번 되새기고 목표를 달성하겠다는 의지를 다지기 위한 것으로 풀이된다.
반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 `GAA(Gate- All-Around)`를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있다. 또 소비전력을 50% 줄이면서 처리속도는 30% 향상시킬 수 있다.
이 자리에서 이재용 부회장은 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다"며 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 당부했다.
새해 첫 근무일인 만큼 이 부회장은 기업의 사회적 책임도 강조하는 것도 잊지 않았다. 이 부회장은 "우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자"고 강조했다.
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