SK하이닉스, TSMC와 '6세대 HBM' 개발 협력

SK하이닉스가 파운드리의 강자 대만 TSMC와 손잡고 차세대 HBM 개발에 나선다. 2026년 양산 예정인 6세대 HBM(HBM4)을 공동 개발할 계획이다. HBM은 AI 메모리로도 불린다.

SK하이닉스는 최근 대만 타이페이에서 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 밝혔다. SK하이닉스 관계자는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했다.

양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나설 계획이다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.

SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용한다는 전략이다.

초미세공정을 적용하면 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산할 수 있다. TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)의 기술 결합을 시도한다.

김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 했고 케빈 장 TSMC 수석부사장은 "HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.