UNIST "세계에서 가장 얇은 산화물 반도체 개발"

UNIST "세계에서 가장 얇은 산화물 반도체 개발"

그래핀 위에 산화아연 성장시켜 '2차원 산화아연 반도체' 개발

(울산=연합뉴스) 김근주 기자 = 울산과학기술원(UNIST)은 세계에서 가장 얇은 산화물 반도체를 개발했다고 2일 밝혔다.


유연하고 투명한 전자기기나 초소형 센서 등을 만드는데 유용하게 쓰일 전망이다.

이 반도체 명칭은 '2차원 산화아연 반도체(2-dimensional ZnO Semiconductor)'로 이종훈 신소재공학부 교수팀이 그래핀 위에 산화아연을 원자 한 층 수준으로 성장시켜 만들었다.

현존 물질 중에서 열과 전기가 가장 잘 통하는 그래핀을 반도체로 활용하는 연구가 계속됐으나 그래핀은 전자가 없는 영역(밴드갭)이 존재하지 않아 반도체 활용도가 낮았다.

즉, 밴드갭이 있어야 전기를 흐르게도, 흐르지 않게도 할 수 있는데, 그래핀은 전기가 흐르기만 할 뿐이었다. 이에 따라 그래핀 위에 밴드갭이 있는 산화물을 성장시켜 반도체를 만들려는 시도가 계속됐다.

연구팀은 그래핀 위에 그래핀과 같은 육각 구조의 산화아연(ZnO)을 성장시키는 방법으로 '2차원 산화아연 반도체'를 만들었다.

이 반도체 두께는 2나노미터(㎚·1나노미터는 10억분의 1ｍ)로 기존 상용된 반도체 5∼10나노미터보다 훨씬 얇아 투명하고 잘 휘어지는 성질을 지녔다고 연구팀은 밝혔다.

이번 연구 결과는 '나노 레터스(Nano Letters)' 최신호에 실렸다.

canto@yna.co.kr

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