반도체 생산능력 2021년 사상 최고…"D램·낸드 라인 증설"

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입력 2019-12-23 11:21  

반도체 생산능력 2021년 사상 최고…"D램·낸드 라인 증설"

반도체 생산능력 2021년 사상 최고…"D램·낸드 라인 증설"

IC인사이츠 '2020∼2024 생산량' 전망 "내년에 라인 10개 추가 예상"



(서울=연합뉴스) 김준억 기자 = 내년부터 글로벌 반도체업체들이 생산라인을 증설해 반도체 생산능력이 2021년에는 사상 최고에 이를 것이란 전망이 나왔다.

23일 업계에 따르면 반도체 전문 시장조사업체인 IC인사이츠는 최근 발간한 '글로벌 웨이퍼 생산 2020∼2024' 보고서에서 내년에 300㎜ 반도체용 웨이퍼 생산라인이 10개 추가될 것으로 예측했다.

이에 따라 반도체 생산량은 올해부터 2024년까지 연평균 5.9% 성장할 것으로 전망됐다.

이는 지난 5년(2014∼2019년)간 반도체 생산량 연평균 증가율 5.1%보다 다소 높아지는 것이다.

IC인사이츠는 전통적으로 반도체 생산량의 증가는 투입되는 웨이퍼의 양이 결정한다고 설명했다.

지난 20년간 반도체 생산량의 증가에서 웨이퍼 투입량의 기여분은 86%에 이르며 웨이퍼 당 반도체 생산 개수의 증가는 14%에 그친 것으로 분석했다.

IC인사이츠는 D램과 낸드(NAND) 등 메모리 반도체 업체들이 2017년과 지난해 공급 부족 상황에 대응하기 위해 라인 증설 계획을 세웠다가 올해 불황으로 돌아서자 계획을 연기했다고 전했다.

올해는 반도체 업황 악화에 따라 글로벌 설비 가동률은 86%로 지난해(94%)보다 하락했다.

그러나 반도체 업체들이 증설 계획을 취소한 것이 아니라 연기한 것이며 내년과 2021년에는 상당한 규모의 증설이 이뤄질 것으로 전망됐다.



IC인사이츠는 내년에 200㎜ 웨이퍼 기준으로 1천790만장을 처리할 수 있는 라인이 증설되며 2021년에는 2천80만장 규모가 추가될 것으로 예측했다.

이런 신규 라인의 상당수는 삼성전자[005930], SK하이닉스[000660] 등 한국 업체와 칭화유니(淸華紫光)그룹 산하 YMTC(長江存儲), 화훙그레이스(華虹半導體) 등 중국 업체가 투자할 예정이라고 IC인사이츠는 전했다.

실제로 삼성전자는 중국 시안(西安) 공장과 국내 평택 공장의 3D 낸드 투자를 확대하고 있으며 SK하이닉스도 청주 M15 라인을 채우고 있다. 중국 YMTC는 9월 64단 3D 낸드 양산에 들어갔다고 밝힌 바 있다.

국제반도체장비재료협회(SEMI)도 최근 발간한 보고서에서 내년 설비투자 규모가 580억 달러(약 68조원)로 올해보다 2%가량 늘어날 것으로 전망했다.

justdust@yna.co.kr

(끝)



<저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포 금지>
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