[그래픽] 삼성전자 3나노 반도체 세계 첫 양산
(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = 삼성전자[005930]는 25일 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노(1㎚는 10억분의 1ｍ) 파운드리 제품 출하식을 개최했다.
3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 가장 먼저 선보였다.
minfo@yna.co.kr
트위터 @yonhap_graphics 페이스북 tuney.kr/LeYN1
(끝)
<저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포 금지>
(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = 삼성전자[005930]는 25일 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노(1㎚는 10억분의 1ｍ) 파운드리 제품 출하식을 개최했다.
3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 가장 먼저 선보였다.
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