오픈엣지, 삼성전자와 5나노 저전력 D램 인터페이스 IP 개발

오픈엣지, 삼성전자와 5나노 저전력 D램 인터페이스 IP 개발



(서울=연합뉴스) 김기훈 기자 = 반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문회사 오픈엣지테크놀로지[394280](이하 오픈엣지)는 5㎚(나노미터·10억분의 1ｍ) 공정을 지원하는 저전력 D램의 PHY(칩과 칩을 연결하는 인터페이스)를 삼성전자[005930] 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부에서 제작한다고 20일 밝혔다.
IP란 반도체의 특정 기능을 회로로 구현한 설계 블록으로, 반도체 제품은 수많은 IP의 집합체라 볼 수 있다.
오픈엣지가 설계를 마친 뒤 삼성전자에 제작을 맡긴 IP는 오토모티브용 8천533Mbps LPDDR5X/5/4X/4 PHY다.
PHY는 시스템 반도체에 탑재돼 D램 반도체와의 통신을 담당하는 역할을 맡는다.
오픈엣지의 PHY IP가 삼성전자 파운드리 사업부 공정에 적용되는 것은 14나노에 이어 이번이 두 번째다.
삼성전자 파운드리 사업부의 신종신 부사장은 "국내 최고 수준의 IP 기업인 오픈엣지와 추후 더 많은 협업을 통해 국내 시스템 반도체 시장을 함께 성장시켜 나가길 기대한다"고 말했다.
오픈엣지 이성현 대표는 "앞으로도 세계적인 반도체 기업과 지속적인 기술 협업으로 글로벌 시장에서의 신뢰와 입지를 확보해 나가겠다"고 말했다.
kihun@yna.co.kr
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