DB하이텍 "차세대 GaN·SiC 전력반도체 개발 박차"

DB하이텍 "차세대 GaN·SiC 전력반도체 개발 박차"



(서울=연합뉴스) 김아람 기자 = DB하이텍은 최근 차세대 전력반도체 GaN(갈륨나이트라이드)·SiC(실리콘카바이드) 디바이스 제조에 필요한 핵심 장비를 도입하는 등 개발에 박차를 가하고 있다고 18일 밝혔다.
GaN·SiC 소재 반도체는 기존 실리콘 기반 반도체보다 고전압·고주파·고온에 강하고 전력 효율이 높다. 이에 전기차, 신재생에너지, 고속 충전, 5G 등 분야에서 수요가 늘고 있다.
DB하이텍은 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 협력해 파운드리 공정을 향상하고 있으며, SiC는 국책과제의 일환으로 부산테크노파크 등과 개발에 협력 중이다.
특히 전기차 인버터에 주로 적용되는 SiC는 기술 난도가 높아 아직 6인치가 주류인데, DB하이텍은 초기 8인치 시장에 적기 진입해 점유율을 높인다는 전략이다.
DB하이텍은 "GaN·SiC를 기반으로 경쟁 우위 주력 사업인 전력반도체 라인업 확대로 미래를 준비할 것"이라고 밝혔다.
rice@yna.co.kr
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