SK하이닉스 "감산 규모 점진적 조정…보수적 투자 기조는 유지"
4분기 실적 콘퍼런스콜…올해 D램·낸드 수요 성장률 10% 중후반대 예상
"성장성·수익성에 투자 집중…고부가가치 중심 매출 우선시"
(서울=연합뉴스) 장하나 김아람 기자 = SK하이닉스[000660]가 올해 메모리 반도체 수요 회복에 발맞춰 고대역폭 메모리(HBM) 등 프리미엄 제품을 중심으로 감산 규모를 점진적으로 조정한다. 보수적인 투자 기조는 유지한다.
SK하이닉스는 25일 작년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "올해 수요 회복과 함께 공급은 업계 재고 수준이 정상화되는 시점에 맞춰 감산 규모가 점진적으로 조정될 것으로 예상된다"며 "다만 감산이 필요했던 레거시(범용) 제품 생산은 계속 감소하고, 수요가 증가하고 선단 공정이 필요한 프리미엄 제품을 중심으로 생산이 증가하기 때문에 전체 생산량 증가는 제한적일 것"이라고 말했다.
SK하이닉스는 "지난해 보수적인 생산 기조를 유지한 결과 3분기부터 판매량이 생산량을 웃돌면서 하반기에는 재고 개선세가 분명하게 나타났다"며 "D램은 올해 상반기 중, 낸드는 하반기 중에 (재고가) 정상 수준으로 도달할 것"이라고 예상했다.
올해 D램과 낸드 수요 증가율은 각각 10% 중후반대로 예상했다. 반면 생산 증가율은 한자릿수에 그쳐 수요 증가율이 생산 증가율을 크게 웃돌 것으로 내다봤다.
SK하이닉스는 "시장 성장에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획"이라며 "1분기는 계절적인 영향에도 가격 상승세가 지속될 것으로 보여 수익성 중심의 운영을 지속할 것"이라고 말했다.
특히 보수적인 투자 기조를 유지하면서 '선택과 집중'을 강화할 방침이다.
SK하이닉스는 "작년에는 수요 둔화에 대응하기 위해 전년 대비 50% 이상 축소해서 투자를 진행했고, 올해도 보수적인 투자 기조를 유지할 생각"이라며 "철저히 고객 수요에 기반해서 가시성이 확보된 제품의 생산 확대를 위해 투자할 계획"이라고 밝혔다.
이어 "성장성과 수익성을 확신할 수 있는 제한된 영역에 투자를 집중해서 과거처럼 투자 증가가 공급 과잉으로 이어지는 사이클이 되지 않도록 할 생각"이라며 "올해 투자는 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 양산을 확대하거나 실리콘관통전극(TSV) 증설, 필수 인프라 투자 등의 우선순위를 고려해 투자할 생각이고 증가분은 최소화할 계획"이라고 덧붙였다.
SK하이닉스는 "AI용 메모리 수요가 본격화하면서 앞으로 경쟁은 물량 기반 점유율보다는 고객에게 필요한 가치를 시의적절하게 제공하면서 그에 상응하는 합리적인 가격을 통해 매출과 이익을 성장시키는 것이 중요하다"며 "앞으로도 물량 중심보다는 고부가가치 중심 매출을 우선시하고 수익성 점유율 확대에 우선순위를 두겠다"고 강조했다.
이를 통해 이미 선두를 점한 HBM 시장 외에도 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2에서도 신속히 대응해 '토털 AI 메모리 프로바이더' 입지를 강화한다는 전략이다.
차세대 HBM 제품인 HBM3E는 올해 상반기 중 공급을 시작할 예정이다.
SK하이닉스는 "일반 D램 제품의 급격한 가격 상승으로 작년 대비 HBM 가격 프리미엄이 다소 줄어들 수는 있지만, 올해 신규 출시돼 판매가 확대되는 HBM3E는 HBM3 대비 개발 난도가 증가하고 투입 비용이 증가해 가격 프리미엄이 반영될 것"이라며 "HBM 제품 믹스 변화 등을 통한 가격 프리미엄은 유지될 수 있을 것"이라고 말했다.
이어 "HBM 연구개발(R&D), 생산능력(캐파) 투자 비용, 라이프 사이클 등을 종합 고려해 연간으로 가격을 협상 중"이라며 "HBM 가격 안정성은 일반 제품 대비 높고 향후 HBM 시장이 확대될수록 사업 안정성은 높아질 것"이라고 강조했다.
SK하이닉스는 HBM 공급 과잉 우려에 대해서는 "HBM은 고객과 최소 1년 이상 사전 협의, 계약을 통해 캐파를 결정하는 수주형 성격"이라며 "HBM 수요 지속성장성과 AI라는 성장 모멘텀이 지속된다면 공급과잉 우려는 없을 것"이라고 일축했다.
한편, 중국 우시 팹에 대해서는 "궁극적으로 1a 나노 전환을 통해 DDR5와 LPDDR5 제품 양산이 가능하도록 해서 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각한다"고 말했다.
hanajjang@yna.co.kr
(끝)
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4분기 실적 콘퍼런스콜…올해 D램·낸드 수요 성장률 10% 중후반대 예상
"성장성·수익성에 투자 집중…고부가가치 중심 매출 우선시"
(서울=연합뉴스) 장하나 김아람 기자 = SK하이닉스[000660]가 올해 메모리 반도체 수요 회복에 발맞춰 고대역폭 메모리(HBM) 등 프리미엄 제품을 중심으로 감산 규모를 점진적으로 조정한다. 보수적인 투자 기조는 유지한다.
SK하이닉스는 25일 작년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "올해 수요 회복과 함께 공급은 업계 재고 수준이 정상화되는 시점에 맞춰 감산 규모가 점진적으로 조정될 것으로 예상된다"며 "다만 감산이 필요했던 레거시(범용) 제품 생산은 계속 감소하고, 수요가 증가하고 선단 공정이 필요한 프리미엄 제품을 중심으로 생산이 증가하기 때문에 전체 생산량 증가는 제한적일 것"이라고 말했다.
SK하이닉스는 "지난해 보수적인 생산 기조를 유지한 결과 3분기부터 판매량이 생산량을 웃돌면서 하반기에는 재고 개선세가 분명하게 나타났다"며 "D램은 올해 상반기 중, 낸드는 하반기 중에 (재고가) 정상 수준으로 도달할 것"이라고 예상했다.
올해 D램과 낸드 수요 증가율은 각각 10% 중후반대로 예상했다. 반면 생산 증가율은 한자릿수에 그쳐 수요 증가율이 생산 증가율을 크게 웃돌 것으로 내다봤다.
SK하이닉스는 "시장 성장에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획"이라며 "1분기는 계절적인 영향에도 가격 상승세가 지속될 것으로 보여 수익성 중심의 운영을 지속할 것"이라고 말했다.
특히 보수적인 투자 기조를 유지하면서 '선택과 집중'을 강화할 방침이다.
SK하이닉스는 "작년에는 수요 둔화에 대응하기 위해 전년 대비 50% 이상 축소해서 투자를 진행했고, 올해도 보수적인 투자 기조를 유지할 생각"이라며 "철저히 고객 수요에 기반해서 가시성이 확보된 제품의 생산 확대를 위해 투자할 계획"이라고 밝혔다.
이어 "성장성과 수익성을 확신할 수 있는 제한된 영역에 투자를 집중해서 과거처럼 투자 증가가 공급 과잉으로 이어지는 사이클이 되지 않도록 할 생각"이라며 "올해 투자는 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 양산을 확대하거나 실리콘관통전극(TSV) 증설, 필수 인프라 투자 등의 우선순위를 고려해 투자할 생각이고 증가분은 최소화할 계획"이라고 덧붙였다.
SK하이닉스는 "AI용 메모리 수요가 본격화하면서 앞으로 경쟁은 물량 기반 점유율보다는 고객에게 필요한 가치를 시의적절하게 제공하면서 그에 상응하는 합리적인 가격을 통해 매출과 이익을 성장시키는 것이 중요하다"며 "앞으로도 물량 중심보다는 고부가가치 중심 매출을 우선시하고 수익성 점유율 확대에 우선순위를 두겠다"고 강조했다.
이를 통해 이미 선두를 점한 HBM 시장 외에도 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2에서도 신속히 대응해 '토털 AI 메모리 프로바이더' 입지를 강화한다는 전략이다.
차세대 HBM 제품인 HBM3E는 올해 상반기 중 공급을 시작할 예정이다.
SK하이닉스는 "일반 D램 제품의 급격한 가격 상승으로 작년 대비 HBM 가격 프리미엄이 다소 줄어들 수는 있지만, 올해 신규 출시돼 판매가 확대되는 HBM3E는 HBM3 대비 개발 난도가 증가하고 투입 비용이 증가해 가격 프리미엄이 반영될 것"이라며 "HBM 제품 믹스 변화 등을 통한 가격 프리미엄은 유지될 수 있을 것"이라고 말했다.
이어 "HBM 연구개발(R&D), 생산능력(캐파) 투자 비용, 라이프 사이클 등을 종합 고려해 연간으로 가격을 협상 중"이라며 "HBM 가격 안정성은 일반 제품 대비 높고 향후 HBM 시장이 확대될수록 사업 안정성은 높아질 것"이라고 강조했다.
SK하이닉스는 HBM 공급 과잉 우려에 대해서는 "HBM은 고객과 최소 1년 이상 사전 협의, 계약을 통해 캐파를 결정하는 수주형 성격"이라며 "HBM 수요 지속성장성과 AI라는 성장 모멘텀이 지속된다면 공급과잉 우려는 없을 것"이라고 일축했다.
한편, 중국 우시 팹에 대해서는 "궁극적으로 1a 나노 전환을 통해 DDR5와 LPDDR5 제품 양산이 가능하도록 해서 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각한다"고 말했다.
hanajjang@yna.co.kr
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