삼성전자가 전세계 반도체 업계 최초로 20나노(1나노 = 10억분의 1ｍ) 4기가비트(Gb) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 본격적으로 양산한다.
삼성전자는 11일 독자기술과 기존 설비로 20나노 D램 미세화 기술의 한계를 넘어 최소형 4기가비트 D램 양산에 성공했다고 밝혔다.
20나노 D램은 삼성이 2012년 양산에 들어간 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다는 2배 이상 생산성이 높다. 생산성이 높다는 것은 하나의 웨이퍼에서 미세공정으로 더 많은 반도체 칩을 얻을 수 있다는 의미다.
20나노 D램에는 '개량형 이중 포토 노광 기술'과 '초미세 유전막 형성 기술'이 적용됐다고 삼성전자는 설명했다.
낸드플래시는 셀(정보저장 최소단위)이 트랜지스터 하나로 구성돼 단순하지만, D램은 셀이 트랜지스터와 커패시터 적층구조여서 공정 미세화가 더 어렵다.
개량형 이중 포토 노광은 기존 포토 장비로도 20나노 D램은 물론 차세대 10나노급 D램까지 양산할 수 있는 기반기술이라고 삼성은 부연했다.
초미세 유전막은 셀 커패시터의 유전막 물질을 기존 나노단위에서 옹스트롬(10분의 1 나노) 단위로 초미세 제어함으로써 균일한 막을 만드는 기술이다.
20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 25나노 D램과 비교할 때 소비전력을 25% 절감할 수 있다. 초절전 그린 IT(정보기술) 솔루션이라는 게 삼성의 설명이다.
삼성전자 메모리사업부 전영현 전략마케팅팀장은 "저전력 20나노 D램은 PC에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대해 시장의 주력 제품이 될 것"이라고 전망했다.
한경닷컴 산업경제팀
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