삼성전자, 세계 최초 3비트 3차원 V낸드 메모리 양산

셀 저장용량은 1.5배 확대
10나노급 평면구조 낸드 대비 생산성 2배 향상
3비트 V낸드 기반 SSD로 HDD 시장 전환 가속화 전망



[ 김민성 기자 ] 삼성전자가 세계 최초로 '3비트(bit) 3차원 V낸드플래시 메모리' 양산에 돌입했다.

3비트 V낸드는 삼성전자가 올해 5월 세계 최초로 양산한 2세대(32단) 제품에 3비트 기술을 적용한 10나노급 128기가비트(Gb) 제품. 이로써 삼성전자는 지난해 8월 '1세대(24단)', 올해 5월 '2세대(32단)' V낸드에 이어 이번에는 2세대 기반의 3비트 V낸드 양산 체제까지 갖추게 됐다.

3비트 V낸드는 삼성의 독자 기술인 3차원 CTF(Charge Trap Flash)셀을 32단으로 수직 적층한 2세대 V낸드 공정을 그대로 유지하면서 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘렸다. 셀 저장 용량도 1.5배 향상됐다. 기존 10나노급 평면구조 낸드 제품과 비교하면 생산성이 2배 이상 오른 셈이다.

현재 업계에서 유일하게 삼성전자가 양산하고 있는 V낸드 공정에 3비트 기술을 접목했다.

삼성전자는 플래시 메모리 시장에서 시장 우위를 굳힌다는 전략이다. 기존 고신뢰성 서버향 SSD에서 보급형 PC향 SSD까지 SSD 라인업을 대폭 늘려 V낸드 글로벌 시장 점유율을 끌어올릴 것으로 보인다.

한재수 메모리사업부 전략마케팅팀 전무는 "3비트 V낸드는 HDD에서 SSD로의 시장 전환 추세를 더욱 가속화 할 것"이라며 "향후 3비트 V낸드 기반 고용량 SSD 출시를 통해 SSD 사업에서의고성장세를 더욱 가속화 할 것"이라고 강조했다.

■ 3차원 CTF(3D Charge Trap Flash) 구조란?
셀(Cell) 안에 전하를 저장하는 공간인 '플로팅게이트'를 부도체로 대체하고 구조를 3차원으로 개량해 수직 적층을 용이하게 하는 기술이다.

한경닷컴 김민성 기자 mean@hankyung.com @mean_Ray



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