전 세계 1위 메모리 반도체 기업 삼성전자가 낸드플래시 부문에서 현재 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했다고 밝혔다. 또 향후 1000단 낸드 시대를 주도해나갈 것이라고 했다.
송재혁(사진) 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 부사장은 8일 삼성 뉴스룸에 올린 기고문에서 "삼성전자는 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보했다"며 "시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다"고 했다.
비휘발성 메모리인 낸드플래시는 그동안 칩을 평면상으로 더욱 작게 만드는 것이 중요한 기술적 포인트였다. 그러나 미세화 공정에 따라 칩 크기가 줄더라도 평면 크기 제한 때문에 더 많은 데이터와 용량을 담아내기엔 역부족이었다.
삼성전자는 2013년 수직으로 쌓아올린 평면 단을 3차원 공간에 구멍을 뚫어 각 층을 연결하는 이른바 'V(Vertical) 낸드'를 세계 최초로 개발했다. 현재 낸드플래시 제품을 3D(3차원)라고 부르는 것도 이 때문이다.
송 부사장은 "2013년 당시 혁신이었던 3D 수직 구조의 V낸드는 이제 반도체 업계의 표준처럼 보편화된 기술이 됐다"며 "24단부터 시작된 V낸드의 단수는 현재 200단에 근접해 있다"고 했다.
삼성전자가 올 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35%까지 줄였다. 이는 마이크론 등 다른 경쟁업체의 6세대 낸드와 비슷한 크기다.
송 부사장은 "삼성전자는 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 '싱글스택 에칭' 기술력을 가진 유일한 기업"이라며 "향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 초고단으로 갈 수 있는 기술 리더십을 확보하고 있다"고 설명했다.
그러면서 "V낸드 미래는 앞으로 1000단 이상을 바라보고 있다"며 "향후 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자의 혁신적인 기술력을 기반으로 시장을 주도할 것"이라고 말했다.
노정동 한경닷컴 기자 dong2@hankyung.com
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