삼성전자가 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산에 돌입했다. 이를 통해 차세대 엔터프라이즈 서버 시장은 물론이고 전장 시장까지 사업영역을 넓힌다는 계획이다.
삼성전자는 7일 웨이퍼당 비트 집적도를 대폭 향상한 '1Tb 8세대 V낸드' 양산을 시작했다고 밝혔다.
삼성전자는 "1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density) 고용량제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상됐다"고 설명했다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트 수를 말한다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 'Toggle DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다. 또 PCIe 4.0 인터페이스를 지원한다. 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장 고용량화를 주도하는 것은 물론이고 자동차 시장까지 사업 영역을 넓히기로 했다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"며 "8세대 V낸드를 통해 시장 수요를 만족시키고 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 말했다.
앞서 삼성전자는 지난 8월 '플래시 메모리 서밋'과 10월 '삼성 테크 데이'에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 공개한 바 있다.
김은지 한경닷컴 기자 eunin11@hankyung.com
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