칩스케이, GaN 전력반도체 'HighGaN' 국제상표 등록 완료

질화갈륨(GaN 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이가 세계지식재산기구(WIPO)를 통해 GaN 전력반도체 기술에 대한 국제상표 등록을 완료했다고 1일 밝혔다. 칩스케이는 제09류(전력반도체, 전력변환 장치 등)에 해당되며 등록 명칭은 'HighGaN'이다.

'HighGaN'은 칩스케이의 GaN 기반 전력반도체 소자가 높은 성능(High performance)과 신뢰성(High reliability)을 가지고 있다는 의미다. 칩스케이는 상표 등록을 통해 기술의 브랜드화 및 글로벌 IP 포트폴리오 강화에 나선다는 계획이다.

칩스케이는 국내 최초로 실리콘 기판 위에 갈륨 나이트라이드 층을 성장시킨 웨이퍼(Gan-on-Si) 기반 650V급 전력반도체 양산을 시작으로 고속 충전기·AI 데이터센터·산업용 전원 장치 등 다양한 응용 분야로 제품 공급을 확대 중이다.

칩스케이는 2017년 설립된 GaN에 특화된 전자소자 설계 전문 팹리스다. GaN은 대표적인 화합물 반도체 소재로 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 소재로 주목받고 있다.

칩스케이 곽철호 대표는 "'HighGaN' 브랜드 확보는 단순한 명칭 등록을 넘어 기술 정체성과 차세대 시장 주도권 확보를 위한 전략적 조치"라며 "양산 기술력과 더불어 브랜드 가치까지 강화해 나가겠다"고 밝혔다.

황정환 기자 jung@hankyung.com