"AI發 호황 올라타자"…中도 첨단 D램 올인

저가 범용 메모리 반도체 제품에 주력하던 창신메모리테크놀로지(CXMT)를 비롯한 중국 기업들이 인공지능(AI) 서버와 AI폰 등에 들어가는 최첨단 제품으로 빠르게 눈을 돌리고 있다. AI 붐이 이끄는 메모리 ‘슈퍼호황’ 사이클이 최소 2~3년 이어질 것이란 전망이 나오자 중국 업체들이 DDR4(더블데이터레이트4) 등 구형 제품을 건너뛰고 최첨단 메모리 출시에 ‘올인’하는 전략으로 선회한 것이다. 중국이 최첨단 제품 개발에 성공해 저가 물량 공세에 나서면 삼성전자와 SK하이닉스에 상당한 부담이 될 수 있다는 분석이 나온다.

28일 업계와 외신 등에 따르면 CXMT는 최근 화웨이에 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 샘플 공급을 시작했다. 올해 말로 예상된 샘플 공급 개시 일정을 2개월 이상 앞당긴 것이다. 이 제품은 16㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 기반 D램 공정으로 제작됐다. CXMT는 내년 초 HBM3 대량 생산을 준비하는 것으로 알려졌다. 2027년에는 현재 주력 HBM인 HBM3E(5세대)를 양산하겠다는 계획을 세웠다.

CXMT는 최근 모바일 기기용 차세대 D램인 LPDDR5X도 개발한 것으로 전해졌다. LPDDR5X는 스마트폰, 태블릿PC 등 모바일 기기는 물론 온디바이스 AI 기기에 필수인 차세대 고성능·저전력 D램이다. 이는 중국이 구형 D램을 넘어 최첨단 메모리 분야에서도 상당한 기술력을 확보했다는 걸 의미한다. 반도체업계 관계자는 “CXMT가 LPDDR5X 개발에 성공하면서 삼성전자 SK하이닉스 등 한국 기업과의 기술 격차를 빠르게 좁히고 있다”고 설명했다.

화웨이, 샤오미 등 중국 스마트폰 제조사가 자국산 LPDDR5X를 장착해 제품을 출시하면 국내 기업의 입지는 그만큼 좁아질 수밖에 없다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 세계 D램 시장 점유율(출하량 기준)은 2025년 7%에서 2027년에는 10%까지 늘어날 것으로 전망됐다. 업계 관계자는 “AI용 메모리 슈퍼호황이라는 기회를 중국이 자국 기술 자립의 발판으로 삼고 있다”고 말했다.

김채연 기자 why29@hankyung.com