D램 4위 오른 CXMT…韓 '30년 패권'에 균열

“향후 한국 메모리반도체 패권이 흔들린다면 이는 미국 마이크론이 아니라 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 때문일 것이다.”

2~3년 전부터 국내 반도체 전문가 사이에서 나오는 얘기다. CXMT가 고급 기술을 확보하고 첨단 D램 시장에서 ‘저가 물량 공세’를 시작하면 30년 넘게 글로벌 메모리 시장 패권을 지켜온 삼성전자, SK하이닉스도 버티기 힘들 것이란 의미다.

우려는 현실이 되고 있다. 중국 정부의 전폭적인 지원을 받는 CXMT가 해외 업체 인력·기술 빼돌리기로 D램 시장의 ‘핵심 플레이어’로 성장한 것이다.

수치가 말해준다. 23일 니혼게이자이신문과 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 3분기 기준 D램 CXMT의 점유율(판매량 기준)은 8%를 기록했다. 삼성전자(37%), SK하이닉스(30%)와는 격차가 있지만 ‘무시할 수 없는 수준’으로 컸다.

D램 생산능력은 마이크론과 어깨를 나란히 한다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 현재 CXMT의 웨이퍼(반도체 원판) 투입량 기준 생산능력은 월 28만 장이다. 삼성전자(월 65만5000장), SK하이닉스(월 54만5000장)의 절반에 못 미치지만 3위 마이크론(월 34만 장)과는 격차가 6만 장으로 좁혀졌다.

CXMT와 선두권 기업 간 기술 격차는 ‘1년 내외’로 좁혀졌다는 평가도 나온다. CXMT가 지난달 23일 중국 베이징에서 열린 한 전시회에서 DDR5, LPDDR5X 등 첨단 D램 단품과 이를 활용한 모듈형 제품 7종을 공개한 게 본보기다. CXMT가 DDR5, LPDDR5 실물을 공식적으로 선보인 건 처음이었다.

이날 CXMT가 공개한 D램 성능은 삼성전자, SK하이닉스와 어깨를 나란히 하는 수준으로 분석됐다. CXMT가 적시한 자사 DDR5의 최고 속도는 8000Mbps로 이전 세대 제품(6400Mbps)보다 25% 개선됐다. 반도체업계 관계자는 “최첨단 중앙처리장치(CPU)와 함께 최신 서버에 적용돼도 손색없는 성능”이라고 말했다.

이르면 2030년 시작될 3차원(3D) D램 시대에는 중국이 역전할 가능성도 거론된다. 3D D램은 저장 공간인 ‘셀’을 위로 쌓는 방식으로 만들어졌으며, 회로 미세화의 한계에 봉착한 D램 기업이 기술 개발에 주력하는 차세대 제품이다. 3D D램 시대가 오면 극자외선(EUV) 노광장비 필요성이 낮아진다. 미국의 수출 규제로 EUV 조달이 어려운 중국 기업에 ‘기회’로 작용할 수 있다.

황정수 기자 hjs@hankyung.com