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미국 어플라이드 삼성과 '연구 동맹'

입력 2026-02-12 18:13   수정 2026-02-13 00:52

세계 3대 반도체 장비사인 미국 어플라이드머티어리얼즈가 3D(3차원) 메모리 적층 등 차세대 반도체 기술을 삼성전자와 공동으로 연구한다. 두 회사는 공동 연구개발(R&D)을 통해 신제품 출시 주기를 획기적으로 단축한다는 계획이다.

어플라이드머티어리얼즈는 50억달러(약 7조2000억원)를 투입해 미국 실리콘밸리에 짓고 있는 ‘에픽(EPIC) 센터’에 삼성전자가 첫 번째 멤버로 합류한다고 12일 발표했다. 미국 최대 반도체 장비 R&D 시설이 될 에픽 센터는 올해 문을 연다. 이곳에서 두 회사는 새로운 반도체 소재 발굴, 메모리 아키텍처 고도화 분야 등에서 공동 연구에 나서기로 했다. 어플라이드머티어리얼즈는 매출 기준(지난해 283억6800만달러) 세계 2위 반도체 장비 업체다.

어플라이드머티어리얼즈는 이날 서울 역삼동 조선팰리스 강남에서 기자회견을 열고 최첨단 인공지능(AI) 칩의 성능을 끌어올리는 신규 장비 3종을 공개했다. 트랜지스터라는 가장 기본적인 전자 소자를 원자 단위에서 개선해 컴퓨팅 성능을 향상한 제품이다. ‘비바(VIVA) 라디칼’ 처리 시스템은 전류가 흐르는 나노시트 표면을 옹스트롬(0.1㎚) 수준으로 균일하게 처리해 칩 성능을 끌어올린다. ‘Sym3 Z 매그넘’ 식각 시스템은 마이크로 초 단위로 이온을 제어해 정밀한 식각을 돕는다. ‘센트리스 스펙트럴 몰리브덴’ 원자층증착(ALD) 시스템은 기존 트랜지스터 연결 소재인 텅스텐을 몰리브덴으로 대체해 칩 성능과 에너지 효율을 개선하는 제품이다.

케빈 모라스 마케팅 총괄 부사장(사진)은 “AI반도체의 빠른 연산을 위해선 칩 설계부터 패키징까지 전 단계에 걸쳐 에너지 효율을 끌어올려야 한다”며 “어플라이드머티어리얼즈가 에너지 효율 향상에 기여할 것”이라고 말했다.

박의명 기자 uimyung@hankyung.com


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