SK하이닉스가 메모리 수요 증가에 대응하기 위해 용인·청주에 신규 팹(Fab)을 짓는다. 용인에는 차세대 D램 생산 거점을, 청주에는 낸드 생산시설을 구축하는 데 총 54조원을 투입할 계획이다.
SK하이닉스는 7일 이사회 결의를 거쳐 용인 'Y2' 팹에 35조2000억원, 청주 'M17' 팹에 19조1000억원을 각각 투자하기로 했다고 밝혔다.
이번 투자는 지난 6월 발표한 중장기 투자 전략의 후속 조치다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 계획을 세웠다. 현재 용인에선 첫 번째 팹인 Y1을 건설하고 있다.
신규 투자의 한 축인 Y2는 용인 반도체 클러스터에 순차적으로 들어서는 4개 팹 가운데 두 번째 팹이다. 연면적 34만1000평 규모로 조성되고 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산한다.
Y2는 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 예정이다. 투자금은 2031년 10월까지 단계적으로 집행한다. 현재 건설 중인 Y1은 내년 2월 첫 클린룸 가동을 목표로 공사가 진행되고 있다.
SK하이닉스는 당초 2045년으로 잡았던 용인 반도체 클러스터 완공 시점을 2033년으로 12년 앞당겨 4개 팹 건설을 마친다는 목표를 세운 상태다.
Y2 투자금엔 생산시설뿐 아니라 구성원이 이용할 업무·복지시설을 갖춘 지원동과 개발 제품의 실험·테스트·분석을 통합 수행하는 연구개발통합센터 건설 비용도 포함됐다. 수처리 시설, 공동구, 변전 시설, 창고 등 부대시설도 들어선다.
용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 약 126만평 규모로 조성되고 있다. Y2 가동까지 필요한 1단계 전력·용수 인프라는 현재 공정률 99%로 마무리 단계에 들어섰다.
청주에는 낸드 생산을 위한 M17을 새로 건설한다. 연면적은 20만6000평 규모다. 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 열 계획이다. 투자 기간은 2031년 4월까지다.
SK하이닉스가 청주를 신규 낸드 생산 거점으로 선택한 데는 건설 속도가 영향을 미쳤다. 청주캠퍼스에는 이미 낸드를 생산하는 M11·M12·M15가 있는 데다 부지·전력·용수도 상당 부분 확보돼 있다. 기존 팹과 연계한 생산이 가능하다는 설명이다.
회사는 AI 서비스 확산으로 엔터프라이즈 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 낸드 수요가 빠르게 증가하는 데 주목했다. AI 추론 과정에서 이전 연산 결과를 저장·재활용하는 'KV 캐시' 수요가 늘고 에이전틱 AI·피지컬 AI 도입으로 낸드 활용처가 확대될 것으로 내다봤다.
D램·낸드 시장의 중장기 성장세도 투자 결정의 배경으로 제시됐다. 시장조사업체 옴디아는 지난해부터 2030년까지 D램과 낸드 수요가 각각 연평균 19%씩 성장할 것으로 전망했다.
SK하이닉스는 고객사와 논의한 중장기 수요를 토대로 팹을 먼저 확보하면서도 실제 생산능력은 수요 시점에 맞춰 늘린다는 방침이다. 팹 건설은 계획대로 진행하면서 클린룸 증설·장비 투입은 시장 상황에 따라 순차적으로 추진한다.
SK하이닉스는 "AI 시대에는 기술 경쟁력만으로 충분하지 않고 고객이 필요로 하는 시점에 필요한 물량을 공급할 수 있는 능력이 곧 경쟁력"이라며 "면밀한 수요 검토를 거쳐 이번 투자를 결정했다"고 했다.
회사 관계자는 "이번 투자는 시장의 성장 속도에 맞춰 그 기회를 놓치지 않기 위한 결정"이라며 "선제적 생산 기반 확보를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 AI 인프라의 핵심 파트너로 자리매김하겠다"고 말했다.
김대영 한경닷컴 기자 kdy@hankyung.com
SK하이닉스는 7일 이사회 결의를 거쳐 용인 'Y2' 팹에 35조2000억원, 청주 'M17' 팹에 19조1000억원을 각각 투자하기로 했다고 밝혔다.
이번 투자는 지난 6월 발표한 중장기 투자 전략의 후속 조치다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 계획을 세웠다. 현재 용인에선 첫 번째 팹인 Y1을 건설하고 있다.
신규 투자의 한 축인 Y2는 용인 반도체 클러스터에 순차적으로 들어서는 4개 팹 가운데 두 번째 팹이다. 연면적 34만1000평 규모로 조성되고 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산한다.
Y2는 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 예정이다. 투자금은 2031년 10월까지 단계적으로 집행한다. 현재 건설 중인 Y1은 내년 2월 첫 클린룸 가동을 목표로 공사가 진행되고 있다.
SK하이닉스는 당초 2045년으로 잡았던 용인 반도체 클러스터 완공 시점을 2033년으로 12년 앞당겨 4개 팹 건설을 마친다는 목표를 세운 상태다.
Y2 투자금엔 생산시설뿐 아니라 구성원이 이용할 업무·복지시설을 갖춘 지원동과 개발 제품의 실험·테스트·분석을 통합 수행하는 연구개발통합센터 건설 비용도 포함됐다. 수처리 시설, 공동구, 변전 시설, 창고 등 부대시설도 들어선다.
용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 약 126만평 규모로 조성되고 있다. Y2 가동까지 필요한 1단계 전력·용수 인프라는 현재 공정률 99%로 마무리 단계에 들어섰다.
청주에는 낸드 생산을 위한 M17을 새로 건설한다. 연면적은 20만6000평 규모다. 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 열 계획이다. 투자 기간은 2031년 4월까지다.
SK하이닉스가 청주를 신규 낸드 생산 거점으로 선택한 데는 건설 속도가 영향을 미쳤다. 청주캠퍼스에는 이미 낸드를 생산하는 M11·M12·M15가 있는 데다 부지·전력·용수도 상당 부분 확보돼 있다. 기존 팹과 연계한 생산이 가능하다는 설명이다.
회사는 AI 서비스 확산으로 엔터프라이즈 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 낸드 수요가 빠르게 증가하는 데 주목했다. AI 추론 과정에서 이전 연산 결과를 저장·재활용하는 'KV 캐시' 수요가 늘고 에이전틱 AI·피지컬 AI 도입으로 낸드 활용처가 확대될 것으로 내다봤다.
D램·낸드 시장의 중장기 성장세도 투자 결정의 배경으로 제시됐다. 시장조사업체 옴디아는 지난해부터 2030년까지 D램과 낸드 수요가 각각 연평균 19%씩 성장할 것으로 전망했다.
SK하이닉스는 고객사와 논의한 중장기 수요를 토대로 팹을 먼저 확보하면서도 실제 생산능력은 수요 시점에 맞춰 늘린다는 방침이다. 팹 건설은 계획대로 진행하면서 클린룸 증설·장비 투입은 시장 상황에 따라 순차적으로 추진한다.
SK하이닉스는 "AI 시대에는 기술 경쟁력만으로 충분하지 않고 고객이 필요로 하는 시점에 필요한 물량을 공급할 수 있는 능력이 곧 경쟁력"이라며 "면밀한 수요 검토를 거쳐 이번 투자를 결정했다"고 했다.
회사 관계자는 "이번 투자는 시장의 성장 속도에 맞춰 그 기회를 놓치지 않기 위한 결정"이라며 "선제적 생산 기반 확보를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 AI 인프라의 핵심 파트너로 자리매김하겠다"고 말했다.
김대영 한경닷컴 기자 kdy@hankyung.com
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