하이닉스반도체, 2세대 1기가비트 DDR3 개발

하이닉스반도체(대표 김종갑)가 업계 최고의 성능과 저전력 특성을 구현한 1기가비트 DDR3 2세대 제품 개발에 성공했습니다.

이번 달부터 양산이 시작된 이 제품은 기존 54나노 공정기술을 활용하면서 혁신적인 설계기술 도입으로 전력소모를 기존 제품대비 약 30% 줄인 것이 특징입니다.

하이닉스는 설계에 있어 회로를 최적화하고 단순화 시키는 한편 내부 신호처리에 있어 새로운 방법을 도입함으로써 기존 동작전압인 1.5V를 유지하면서도 전력소모를 30% 줄일 수 있게 되었다고 밝혔습니다.

하이닉스 관계자는 "하이닉스는 이 제품으로 클라우드 컴퓨팅 등 향후 제품환경이 요구하는 성능과 효율성을 모두 만족시킬 것으로 기대한다"고 말했습니다.

한편, 하이닉스는 4분기 양산예정인 44나노 2기가비트 DDR3 제품은 물론 향후 개발되는 모든 제품에도 이 제품에 적용된 설계기술이 동일하게 적용될 예정이라고 설명했습니다.