하이닉스, 20나노급 64Gb 낸드플래시 개발

입력 2010-02-09 11:33  

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하이닉스반도체가 20나노급 64Gb(기가비트) 낸드플래시 제품 개발에 성공했습니다.

30나노급 기술을 적용한 32Gb 제품 개발한 지 6개월 만입니다.

이 제품은 올해 3분기부터 양산될 예정으로, 이를 기반으로 64GB(기가바이트) 메모리 용량 시대가 앞당겨질 것으로 기대됩니다.

하이닉스 측은 "통신기술에 사용되는 노이즈 제거 기술을 개발해 조만간 적용하게 되면 낸드플래시 공정 미세화의 한계를 넘어 10나노급 낸드플래시 생산도 가능하다"고 설명했습니다.

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