삼성전자, 30나노급 DDR3 DRAM 양산

삼성전자가 30나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 이 달부터 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 30나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 DDR3 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있을 뿐 아니라, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다고 밝혔다.

삼성전자는 30나노급 DDR3 D램의 데이터 처리속도를 PC용 제품으로는 최고 속도인 2,133Mbps로 구현했다.

1,333Mbps인 기존 DDR3 D램에 비해서는 1.6배, DDR2 D램에 비해서는 약 3.5배 빠른 속도다.

이를 위해, 삼성전자는 데이터를 빠르면서도 안정적으로 전송할 수 있도록 획기적인 설계 기술을 적용했다고 밝혔다.

30나노급 DDR3 D램 기반의 서버용 제품은 동작전압 1.35V(볼트)에서 1,866Mbps의 데이터 처리속도로 동작한다.

30나노급 DDR3 D램은 빠른 데이터 처리속도와 함께 대용량 메모리 제품에 적합하게 설계되어 기존 제품 대비 소비전력을 크게 줄일 수 있다.

데스크톱 PC에 4GB 용량의 메모리를 사용할 경우, 30나노급 2Gb D램 기반의 모듈은 시간당 소비전력이 1.73W(와트)에 불과해, 현재 D램 시장의 주력 제품인 50나노급 D램 기반 모듈(소비전력 4.95W) 대비 소비전력을 절반 이하로 낮출 수 있다.

특히, 삼성전자는 올해 주요 CPU(중앙처리장치)업체들이 출시하기 시작한 30나노급 CPU와 함께 탑재해 초절전·고성능의 ''30나노 CPU·D램 시대''를 열어 나가게 됐다.

30나노급 CPU의 성능을 극대화하는 30나노급 D램은 종전 DDR3 D램 제품 대비 성능을 60% 올리면서도 소비전력을 약 20% 정도 줄일 수 있다.

서버에서도 30나노급 DDR3 D램을 채용하면 시스템 성능을 더욱 높이면서도 소비전력을 줄일 수 있는 차세대 제품 설계가 가능하다.