인텔, 3D 반도체 세계 첫 개발..연내 양산

세계 1위 반도체기업인 미국 인텔이 기존 2차원(2D) 반도체와는 완전히 다른 3차원(3D) 구조의 반도체를 세계 최초로 개발했다.

인텔은 4일(현지시각) 지난 2002년 최초 공개한 트라이게이트라는 3D 반도체 설계기술을 바탕으로 22나노급 "아이비 브리지" 반도체를 연내 양산한다고 밝혔다.

반도체 신시장의 핵심으로 떠오르고 있는 모바일기기용 반도체를 올해 말부터 인텔이 양산하기로 함에 따라 휴대폰의 CPU(중앙연산처리장치)에 해당하는 애플리케이션 프로세서(AP) 등을 만드는 삼성전자도 타격을 받을 것으로 보인다.

인텔 측은 기존 칩 제조 공정에 비해 전력소비량을 절반가량 줄일 수 있고 반도체 회로 간격을 더 좁힐 수 있어 집적도가 높은 대용량 칩을 쉽게 만들 수 있다고 설명했다.

전자기기의 크기가 점점 작아지고 있는 상황에서 물리적 법칙이 장애가 됨에 따라 3D 기술은 2차원에서 회로선폭을 줄이던 것과 달리 반도체를 층층이 쌓아올려 집적도를 높인다. 특히 2년 마다 반도체 집적도가 두배가 된다는 무어의 법칙도 3D 기술로 계속 이어갈 수 있을 것으로 보인다.

기존 반도체에 비해 개선된 성능과 에너지 효율성을 가진 22나노 3D 반도체는 32나노 평면형 반도체에 비해 전력소비를 37% 줄였다.

인텔은 새로운 22나노 공정을 통해 연말부터 휴대폰 등 모바일기기의 CPU에 해당하는 AP를 양산할 예정이며, 그동안 영국의 ARM에 밀려 시장 진입도 못했던 AP 시장을 적극 공략할 계획인 것으로 알려졌다.

업계는 인텔이 모바일 AP 시장에 진출할 경우 삼성전자, 퀄컴, 텍사스인스트루먼트(TI) 등 기존 업체들에 미치는 영향이 클 것으로 보고 있다. 특히 애플 등에 AP칩을 공급하는 등 세계 AP 시장의 65%를 차지하고 있는 삼성전자는 인텔의 시장 진출로 타격을 입을 것이라는 전망도 나온다.