삼성전자가 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동을 시작하고 20나노급 D램도 양산에 들어갑니다.
삼성전자는 오늘 화성캠퍼스에서 이건희 회장이 참석한 가운데 메모리 16라인 가동식과 20나노 D램·플래시 양산 행사를 개최한다고 밝혔습니다.
착공 1년 3개월만에 가동에 들어가는 메모리 16라인은 세계 최대인 면적 20만제곱미터의 12층 건물로 낸드플래시를 주력으로 생산하게 됩니다.
20나노급 D램은 기존 30나노급에 비해 소비전력을 40% 이상 줄인 그린 메모리로 양산에 들어가는 것은 삼성전자가 처음입니다.
삼성전자는 오늘 화성캠퍼스에서 이건희 회장이 참석한 가운데 메모리 16라인 가동식과 20나노 D램·플래시 양산 행사를 개최한다고 밝혔습니다.
착공 1년 3개월만에 가동에 들어가는 메모리 16라인은 세계 최대인 면적 20만제곱미터의 12층 건물로 낸드플래시를 주력으로 생산하게 됩니다.
20나노급 D램은 기존 30나노급에 비해 소비전력을 40% 이상 줄인 그린 메모리로 양산에 들어가는 것은 삼성전자가 처음입니다.
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