삼성전자, '고효율·저전력' 10나노 반도체 양산 시작

유오성 기자

입력 2016-10-17 11:01  

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삼성전자가 회로선 간 간격이 10나노인 시스템 반도체를 양산합니다.

10나노 공정을 이용하면 기존의 14나노 1세대 공정으로 만든 반도체 보다 소비전력은 40% 정도 줄고, 웨이퍼 당 칩 생산량은 30% 정도 향상된 반도체를 만들 수 있습니다.

또 이번 10나노 공정은 기존 장비를 그대로 활용해 기판에 미세한 회로를 그리는 작업을 세 번 반복하는 신기술 `트리플패터닝`이 적용됐습니다.

삼성전자는 "10나노 1세대 공정 양산을 시작으로 2017년까지 성능을 향상시킨 2세대 공정 개발과 지속적인 성능개선을 통해 10나노 공정을 장기간 활용할 계획"이라고 말했습니다.

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