삼성전자가 `4세대(64단) 256기가비트(Gb) 3bit V낸드플래시`를 본격 양산해 서버, PC, 모바일용 등에 4세대 V낸드 라인업을 확대한다고 오늘(15일) 밝혔습니다.
삼성전자는 모바일용 eUFS, 소비자용 SSD, 메모리카드에 4세대 V낸드를 확대하고, 올해안에 월간 생산 비중을 50% 이상 늘릴 계획입니다.
4세대(64단) V낸드는 ▲초고집적 셀 구조·공정, ▲초고속 동작 회로 설계 ▲초고신뢰성 CTF 박막 형성 등 3가지 혁신 기술이 적용돼 3세대(48단) 제품보다 속도와 생산성이 30% 이상 향상됩니다.
V낸드는 반도체에 정보를 저장하는 공간인 `셀`을 만들 때 수십 개의 단을 쌓아 올려 위에서부터 하단까지 수십억 개의 미세한 구멍을 균일하게 뚫는 `3차원(원통형) CTF 셀` 작업이 필요합니다.
하지만 단수가 높아질수록 최상단과 최하단 셀 특성에 차이가 발생하는 기술적 한계가 존재했습니다.
삼성전자는 `9-Hole`이란 이름의 `초고집적 셀 구조·공정` 기술을 개발해 각 층마다 균일한 홀 패턴을 형성하고 전체 단의 하중을 분산할 수 있어 기술적 한계를 극복하게됐다고 설명했습니다.
이에 따라 4세대 V낸드를 계기로 90단 이상의 수직 적층이 가능해져 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 `1테라(Tera) 비트 V낸드` 원천 기술을 확보하게 됐습니다.
이 기술로 셀에 데이터를 셀에 데이터를 기록하는 속도(tPROG)도 10나노급(Planar, 평면) 낸드 대비 약 4배, 3세대 V낸드보다 약 1.5배 빠른 500μs(마이크로 초, 100만분의 1초)로 빨라집니다.
경계현 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "테라 V낸드 시대를 앞당기기 위해 임직원 모두 혁신적인 기술 개발에 전념했다"며, "향후에도 차세대 제품을 적기에 개발해 글로벌 IT 기업과 소비자의 사용 만족도를 높일 솔루션을 제공하겠다"라고 말했습니다.
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